Bærbare powerbanks (også kendt som bærbare opladere) er meget brugt til forskellige elektroniske enheder.Med fremskridt inden for batteriteknologi forventes fremtidige powerbanker at være lettere, have højere kapacitet og tilbyde hurtigere opladningshastigheder.Smarte funktioner og multifunktionalitet vil også være nøgleudviklingsområder for at imødekomme den stigende efterspørgsel efter mobile energiløsninger.
MOSFET'er i bærbare powerbanks (bærbare opladere) står over for udfordringer med hensyn til effektivitet og holdbarhed.Nøgleproblemer omfatter strømtab, utilstrækkelig varmestyring og pålidelighedsproblemer under høje belastninger, som begrænser ydeevnen og levetiden for powerbankerne.WINSOKMOSFET kan muligvis hjælpe dig med at løse ovenstående problemer.
WINSOK mellem- og lavspændings-MOSFET-applikationer i mobile strømforsyninger, hovedapplikationsmodeller:
| Varenummer | Konfiguration | Type | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pakke | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maks. | Min. | Typ. | Maks. | Typ. | Maks. | (pF) | ||||
| Enkelt | N-Ch | 30 | 5.6 | 0,5 | 0,8 | 1 | - | - | 525 | SOT-23N | |
| Enkelt | N-Ch | 20 | 5.9 | 0,3 | 0,5 | 1.2 | - | - | 395 | SOT-23-3L | |
| Enkelt | N-Ch | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | SOT-23-3L | |
| Enkelt | P-Ch | -20 | -7.1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000 | SOT-23-3L | |
| Enkelt | P-Ch | -30 | -5.1 | -0,7 | -1 | -1.3 | - | 43 | 826 | SOT-23-3L | |
| Enkelt | P-Ch | -30 | -120 | -1.2 | -1,5 | -2,5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
| Enkelt | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | SOP-8 | |
| Dual+ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0,5 | 0,7 | 1.2 | - | - | 615 | SOP-8 | |
| Dual+ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0,5 | 0,7 | 1.1 | - | - | 620 | SOP-8 | |
| Enkelt | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Enkelt | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| Dobbelt | P-Ch | -20 | -5.8 | -0,6 | -1.1 | -1.7 | 40 | 65 | 625 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Enkelt | P-Ch | -30 | -65 | -1 | -1.6 | -2,5 | 7.5 | 9.5 | 3448 | TO-252 | |
Andre mærkematerialenumre svarende til ovenstående WINSOK MOSFET er:
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WST3400S er:AOS AO3400,AO3400A,AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,D3LSMCD1NSMCD1NSMCD1,D3LSMCD1,D3LSMCD1,3LSMCD1, 3LSMCD1. .Potens Semiconductor PDN3643.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WST2316 er:AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.
De tilsvarende materialenumre for WINSOK MOSFET WST3408 er:AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroeN2SMAnelectron3.STMvNx2Nx3V2NxVenelectron. K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WST2339 er:AOS AO3413,AO3415A,AO3415A,AO3419,AO3423,AO3435,AO3493,AO3495,AO3499,AO211115A,AO211115A,AO211115A,AO211115A,AO2111115C.Si3SMJSJR3SM9SJSJR3SM9SJR3SM9. 2335PSA.Potens Semiconductor PDN2309S.
The corresponding material numbers of WINSOK MOSFET WST3409 are:AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P5103EMG.Potens Semiconductor PDN2309S.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 er:AOS AON6403,AON6407,AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WSP4406 er:AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE STS1INFINE 30 TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WSP9926 er:AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.
Det tilsvarende materielle antal Winsok Mosfet WSP9926A er: AOS AO9926B, AO9926C.ONSEMI, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY SI9926CDY.INFINEON, IR BSO330N02K G.SINOPOWER SM9926DSK.POTEnsin.
De tilsvarende materialenumre for WINSOK MOSFET WSP4435 er:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO48003A,A4O481,A4O481,A4O481,A4003A,A4O481,A4003A,A4O4Z1,A4481,4803A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,48003A,4803A,48003A,48003A,48003A,A40481,3 FDS6685.VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WSP4407 er:AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3STS5PH6SLL,HSTS5P5SLLH6ST,HSTSS5P6SLLH6ST,HSTS5P6LH6ST,HSTS5P6LH6ST,HST3STS5P6SLL,HST3STS6LH6ST,HST3STS6LH6ST,HST3STS5SLLH6ST,HSTS5SLLH6ST,HSTS5SLLH6ST,HSTS5SLLH6ST,HSTS5SLLH6ST .TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WSP4953A er:AOS AO4801,AO4801A,AO4803,AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPFF20L. 1.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
De tilsvarende materialenumre på WINSOK MOSFET WSP4606 er:AOS AO4606,AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sino-PotenG. Semi leder PDS3710.
Det tilsvarende materielle antal Winsok MOSFET WSF70P03 er: AOS AOD21357, AOD403, AOD423.ONSEMI, FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMICROELECTRONICS STD37P3PH6AG, STD40P3PLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PAnpAnpAnpAnpAnpiSp.PHIPJ. APEC AP3P9ROH, AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED, PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.
Indlægstid: 24. nov. 2023
