-
Analyse af forbedrings- og udtømnings-MOSFET'er
D-FET er i 0 gate bias, når eksistensen af kanal, kan udføre FET; E-FET er i 0 gate bias, når der ikke er nogen kanal, kan ikke udføre FET. disse to typer FET'er har deres egne karakteristika og anvendelser. Generelt forbedret FET i højhastigheds-, laveffekt...Læs mere -
Retningslinjer for MOSFET-pakkevalg
For det andet, størrelsen af systemets begrænsninger Nogle elektroniske systemer er begrænset af størrelsen af printkortet og den interne højde, såsom kommunikationssystemer, modulær strømforsyning på grund af højdebegrænsninger bruger normalt DFN5 * 6, DFN3 * 3 pakke; i nogle ACDC-strømforsyninger...Læs mere -
Produktionsmetode for MOSFET-drivkredsløb med høj effekt
Der er to hovedløsninger: Den ene er at bruge en dedikeret driverchip til at drive MOSFET'en, eller brugen af hurtige fotokoblere, transistorer udgør et kredsløb til at drive MOSFET'en, men den første type tilgang kræver tilvejebringelse af en uafhængig strømforsyning; den anden...Læs mere -
Analyse af vigtige årsager til MOSFET varmeudvikling
N-type, P-type MOSFETs arbejdsprincip for essensen er den samme, MOSFET er hovedsageligt tilføjet til indgangssiden af gatespændingen for med succes at kontrollere udgangssiden af drænstrømmen, MOSFET er en spændingsstyret enhed, gennem den tilføjede spænding til porten til...Læs mere -
Hvordan man bestemmer, at højeffekt MOSFET er brændt gennem udbrændingen
(1) MOSFET er et spændingsmanipulerende element, mens transistor er et strømmanipulerende element. I køreevnen er ikke tilgængelig, drevstrømmen er meget lille, bør vælges MOSFET; og i signalet er spændingen lav, og lovede at tage mere strøm fra...Læs mere -
EV-dashboards er tilbøjelige til at gå i stykker, måske har det noget at gøre med kvaliteten af de anvendte MOSFET'er
På dette stadium har markedet længe været flere og flere elektriske køretøjer, dets miljøbeskyttelsesfunktioner er blevet anerkendt, og der er en erstatning for udviklingstendensen til dieselbrændstofmobilitetsværktøj, elektriske køretøjer er også ligesom andre mobilitetsværktøjer, instr...Læs mere -
Sådan forhindrer du MOSFET-fejl
På dette stadium i industrien ansøgning niveau, den første rangeret forbrugerelektronik enhed adapter varer. Og i henhold til hovedbrugen af MOSFET-greb er efterspørgslen efter MOSFET på andenpladsen computerens bundkort, NB, computerens professionelle strømadapter, LCD-displ...Læs mere -
Lithium batteriopladning er let at beskadige, WINSOK MOSFET hjælper dig!
Lithium som en ny type miljøvenlige batterier, er længe efterhånden blevet brugt i batteribiler. Ukendt på grund af egenskaberne ved genopladelige lithium-jernfosfat-batterier, skal i brug være dets batteriopladningsproces for at udføre vedligeholdelse for at præ...Læs mere -
MOSFET gate kildebeskyttelse
MOSFET i sig selv har mange fordele, men samtidig har MOSFET en mere følsom kortsigtet overbelastningskapacitet, især i højfrekvente applikationsscenarier, så ved brug af strøm skal MOSFET'er udvikles til dets effektive beskyttelseskredsløb for at forbedre stikket. ..Læs mere -
MOSFET overstrømsbeskyttelseskredsløb for at undgå strømforsyningsudbrændingsulykker
Strømforsyning som elektronisk udstyrs distributionskomponenter, ud over egenskaberne til at overveje bestemmelserne i strømforsyningssystemudstyret, er dets egne beskyttelsesforanstaltninger også meget vigtige, såsom overstrøm, overspænding, overtemperatur mai ...Læs mere -
Hvordan vælger man det bedst egnede driverkredsløb til MOSFET?
I strømafbryderen og andre strømforsyningssystemdesignprogrammer vil programdesignere være mere opmærksomme på en række vigtige parametre i MOSFET, såsom on-off modstand, større driftsspænding, større strømflow. Selvom dette element er kritisk, tages der hensyn til...Læs mere -
MOSFET-driverkredsløbskrav
Med nutidens MOS-drivere, er der flere ekstraordinære krav: 1. Lavspænding ansøgning Når anvendelsen af 5V skifte strømforsyning, på dette tidspunkt, hvis brugen af traditionelle totempæle struktur, fordi triode være kun 0,7V op og ned tab, hvilket resulterer i ...Læs mere
