WSD100N15DN56G N-kanal 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD100N15DN56G MOSFET er 150V, strømmen er 100A, modstanden er 6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
Medicinske strømforsyninger MOSFET, PD'er MOSFET, droner MOSFET, elektroniske cigaretter MOSFET, større apparater MOSFET og elværktøj MOSFET.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 150 | V |
| VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V |
| ID | Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | Pulserende drænstrøm | 360 | A |
| EAS | Enkeltpuls lavineenergi | 400 | mJ |
| PD | Total effekttab...C=25℃) | 160 | W |
| RθJA | Termisk modstand, junction-ambient | 62 | ℃/W |
| RθJC | Termisk modstand, junction-case | 0,78 | ℃/W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 150 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, jegD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | Drænkilde Lækstrøm | VDS=100V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Samlet portafgift | VDS=50V, VGS=10V, ID=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 18 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=50V,VGS= 10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 98 | --- | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 55 | --- | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 20 | --- | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 1730 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 195 | --- |
