WSD20100DN56 N-kanal 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSD20100DN56 N-kanal 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Varenummer:WSD20100DN56

BVDS:20V

ID:90A

RDSON:1,6 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Anvendelse

Produkt Tags

WINSOK MOSFET produktoversigt

Spændingen på WSD20100DN56 MOSFET er 20V, strømmen er 90A, modstanden er 1,6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET applikationsområder

Elektroniske cigaretter MOSFET, droner MOSFET, elektrisk værktøj MOSFET, fascia pistoler MOSFET, PD MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET.

WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre

AOS MOSFET AON6572.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.

MOSFET parametre

Symbol

Parameter

Bedømmelse

Enheder

VDS

Drænkildespænding

20

V

VGS

Gate-kilde spænding

±12

V

ID@TC=25℃

Kontinuerlig drænstrøm1

90

A

ID@TC=100℃

Kontinuerlig drænstrøm1

48

A

IDM

Pulserende drænstrøm2

270

A

EAS

Enkeltpuls lavineenergi3

80

mJ

IAS

Lavinestrøm

40

A

PD@TC=25℃

Total effekttab4

83

W

TSTG

Opbevaringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftsforbindelsens temperaturområde

-55 til 150

RθJA

Termisk modstand Junction-omgivende1(t10S)

20

/W

RθJA

Termisk modstand Junction-omgivende1(Stady State)

55

/W

RθJC

Termisk modstand Junction-kasse1

1.5

/W

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min

Typ

Maks

Enhed

BVDS

Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA

20

23

---

V

VGS(th)

Porttærskelspænding VGS=VDS, ID =250uA

0,5

0,68

1.0

V

RDS(ON)

Statisk afløbskilde ved modstand2 VGS=10V, ID=20A

---

1.6

2.0

RDS(ON)

Statisk afløbskilde ved modstand2 VGS=4,5V, ID=20A  

1.9

2.5

RDS(ON)

Statisk afløbskilde ved modstand2 VGS=2,5V, ID=20A

---

2.8

3.8

IDSS

Afløbskilde Lækstrøm VDS=16V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=16V, VGS=0V, TJ=125

---

---

5

IGSS

Gate-Source Lækstrøm VGS=±10V, VDS=0V

---

---

±10

uA

Rg

Portmodstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

Samlet portladning (10V) VDS=15V, VGS=10V, ID=20A

---

77

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

8.7

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

14

---

Td(on)

Forsinkelsestid for tænding VDD=15V , VGS=10V , RG=3 ,

ID=20A

---

10.2

---

ns

Tr

Opgangstid

---

11.7

---

Td(fra)

Sluk-forsinkelsestid

---

56,4

---

Tf

Efterårstid

---

16.2

---

Ciss

Input Kapacitans VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

---

4307

---

pF

Coss

Output Kapacitans

---

501

---

Crss

Omvendt overførselskapacitans

---

321

---

IS

Kontinuerlig kildestrøm1,5 VG=VD=0V , kraftstrøm

---

---

50

A

VSD

Diode fremadspænding2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25

---

---

1.2

V

trr

Omvendt gendannelsestid IF=20A, di/dt=100A/µs,

TJ=25

---

22

---

nS

Qrr

Omvendt gendannelsesafgift

---

72

---

nC


  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os