WSD20L120DN56 P-kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Generel beskrivelse
WSD20L120DN56 er en toptydende P-Ch MOSFET med en cellestruktur med høj tæthed, der giver fremragende RDSON- og gate-opladning til de fleste anvendelser af synkrone buck-konvertere. WSD20L120DN56 opfylder 100 % EAS-krav til RoHS og miljøvenlige produkter med fuld funktionssikkerhedsgodkendelse.
Funktioner
1, Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed
2, Super lav portopladning
3, Fremragende CdV/dt-effekt fald
4, 100 % EAS Guaranteed 5, grøn enhed tilgængelig
Ansøgninger
Højfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter til MB/NB/UMPC/VGA, Netværk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaret, Trådløs oplader, Motorer, Droner, Medicinsk, Biloplader, Controller, Digitale produkter, Små husholdningsapparater, forbrugerelektronik.
tilsvarende materialenummer
AOS AON6411,NIKO PK5A7BA
Vigtige parametre
Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder | |
10'erne | Steady State | |||
VDS | Drænkildespænding | -20 | V | |
VGS | Gate-kilde spænding | ±10 | V | |
ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V1 | -120 | A | |
ID@TC=100℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V1 | -69,5 | A | |
ID@TA=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
ID@TA=70℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
IDM | Pulserende drænstrøm2 | -340 | A | |
EAS | Enkeltpuls lavineenergi3 | 300 | mJ | |
IAS | Lavinestrøm | -36 | A | |
PD@TC=25℃ | Total effekttab 4 | 130 | W | |
PD@TA=25℃ | Total effekttab 4 | 6.8 | 6,25 | W |
TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ | |
TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Reference til 25℃, ID=-1mA | --- | -0,0212 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statisk drænkilde ved modstand2 | VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
VGS=-2,5V, ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,0 | V |
△VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=-5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
Rg | Portmodstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
Qg | Samlet portopladning (-4,5V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 21 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 32 | --- | ||
Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=-10V , VGEN=-4,5V , RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω | --- | 20 | --- | ns |
Tr | Opgangstid | --- | 50 | --- | ||
Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 100 | --- | ||
Tf | Efterårstid | --- | 40 | --- | ||
Ciss | Input Kapacitans | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4950 | --- | pF |
Coss | Output Kapacitans | --- | 380 | --- | ||
Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 290 | --- |