WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Model nummer:WSD30140DN56

BVDS:30V

RDSON:1,7 mΩ

ID:85A

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5*6-8

Sommerlig produkt:Spændingen på WSD30140DN56 MOSFET er 30V, strømmen er 85A, modstanden er 1,7mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5*6-8.

Ansøgninger:Elektroniske cigaretter, trådløse opladere, droner, lægehjælp, bilopladere, controllere, digitale produkter, små apparater, forbrugerelektronik mv.

Send e-mail til os PDF

Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

Generel beskrivelse

WSD30140DN56 er den højeste ydeevne trench N-kanal MOSFET med meget høj celletæthed, der giver fremragende RDSON og gate opladning til de fleste synkrone buck konverter applikationer.WSD30140DN56 overholder RoHS og grønne produktkrav, 100 % EAS-garanti, fuld funktionssikkerhed godkendt.

Funktioner

Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, ultra-lav gate-opladning, fremragende CdV/dt-effektdæmpning, 100 % EAS-garanti, grønne enheder tilgængelige

Ansøgninger

Højfrekvent point-of-load-synkronisering, buck-konvertere, netværksforbundne DC-DC-strømsystemer, elektriske værktøjsapplikationer, elektroniske cigaretter, trådløs opladning, droner, lægehjælp, bilopladning, controllere, digitale produkter, små apparater, forbrugerelektronik

tilsvarende materialenummer

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.PÅ NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTEN PDC3803R

Vigtige parametre

Symbol	Parameter	Bedømmelse	Enheder
VDS	Drænkildespænding	30	V
VGS	Gate-kilde spænding	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Pulserende drænstrøm2	300	A
PD@TC=25℃	Total effekttab 4	50	W
TSTG	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 150	℃
TJ	Driftsforbindelsens temperaturområde	-55 til 150	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
BVDS	Drain-Source Breakdown Spænding	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Reference til 25℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk drænkilde ved modstand2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(ON)	Statisk drænkilde ved modstand2	VGS=4,5V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Porttærskelspænding	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Lækstrøm	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Fremadrettet transkonduktans	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Samlet portopladning (4,5 V)	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.5	---
Qgd	Port-Drain Charge		---	11.4	---
Td(on)	Forsinkelsestid for tænding	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Tid til at stå op		---	6	---
Td(fra)	Sluk-forsinkelsestid		---	38,5	---
Tf	Efterårstid		---	10	---
Ciss	Input Kapacitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Output Kapacitans		---	1280	---
Crss	Omvendt overførselskapacitans		---	160	---