WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:


  • Modelnummer:WSD30140DN56
  • BVDS:30V
  • RDSON:1,7 mΩ
  • ID:85A
  • Kanal:N-kanal
  • Pakke:DFN5*6-8
  • Sommerlig produkt:Spændingen på WSD30140DN56 MOSFET er 30V, strømmen er 85A, modstanden er 1,7mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5*6-8.
  • Ansøgninger:Elektroniske cigaretter, trådløse opladere, droner, lægehjælp, bilopladere, controllere, digitale produkter, små apparater, forbrugerelektronik mv.
  • Produktdetaljer

    Anvendelse

    Produkt Tags

    Generel beskrivelse

    WSD30140DN56 er den højeste ydeevne trench N-kanal MOSFET med meget høj celletæthed, der giver fremragende RDSON og gate opladning til de fleste synkrone buck konverter applikationer. WSD30140DN56 overholder RoHS og grønne produktkrav, 100 % EAS-garanti, fuld funktionssikkerhed godkendt.

    Funktioner

    Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, ultra-lav gate-opladning, fremragende CdV/dt-effektdæmpning, 100 % EAS-garanti, grønne enheder tilgængelige

    Ansøgninger

    Højfrekvent point-of-load-synkronisering, buck-konvertere, netværksforbundne DC-DC-strømsystemer, elektriske værktøjsapplikationer, elektroniske cigaretter, trådløs opladning, droner, lægehjælp, bilopladning, controllere, digitale produkter, små apparater, forbrugerelektronik

    tilsvarende materialenummer

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. PÅ NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

    Vigtige parametre

    Symbol Parameter Bedømmelse Enheder
    VDS Drænkildespænding 30 V
    VGS Gate-kilde spænding ±20 V
    ID@TC=25℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Pulserende drænstrøm2 300 A
    PD@TC=25℃ Total effekttab 4 50 W
    TSTG Opbevaringstemperaturområde -55 til 150
    TJ Driftsforbindelsens temperaturområde -55 til 150
    Symbol Parameter Forhold Min. Typ. Maks. Enhed
    BVDS Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturkoefficient Reference til 25℃, ID=1mA --- 0,02 --- V/℃
    RDS(ON) Statisk drænkilde ved modstand2 VGS=10V, ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4,5V, ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) Porttærskelspænding VGS=VDS, ID =250uA 1.2 1.7 2.5 V
    Afløbskilde Lækstrøm VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-Source Lækstrøm VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Fremadrettet transkonduktans VDS=5V, ID=20A --- 90 --- S
    Qg Samlet portladning (4,5V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 9.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 11.4 ---
    Td(on) Forsinkelsestid for tænding VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Opgangstid --- 6 ---
    Td(fra) Sluk-forsinkelsestid --- 38,5 ---
    Tf Efterårstid --- 10 ---
    Ciss Input Kapacitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 3000 --- pF
    Coss Output Kapacitans --- 1280 ---
    Crss Omvendt overførselskapacitans --- 160 ---

  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os