WSD30300DN56G N-kanal 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD20100DN56 MOSFET er 20V, strømmen er 90A, modstanden er 1,6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
Elektroniske cigaretter MOSFET, droner MOSFET, elektrisk værktøj MOSFET, fascia pistoler MOSFET, PD MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET.
WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 20 | V |
| VGS | Gate-kilde spænding | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig drænstrøm1 | 48 | A |
| IDM | Pulserende drænstrøm2 | 270 | A |
| EAS | Enkeltpuls lavineenergi3 | 80 | mJ |
| IAS | Lavinestrøm | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effekttab4 | 83 | W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| RθJA | Termisk modstand Junction-omgivende1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Termisk modstand Junction-omgivende1(Stady State) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Termisk modstand Junction-kasse1 | 1.5 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min | Typ | Maks | Enhed |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Portmodstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Samlet portladning (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=15V , VGS=10V , RG=3 , ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 56,4 | --- | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 321 | --- | ||
| IS | Kontinuerlig kildestrøm1,5 | VG=VD=0V , kraftstrøm | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diode fremadspænding2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Omvendt gendannelsestid | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Omvendt gendannelsesafgift | --- | 72 | --- | nC |
