WSD40120DN56 N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD40120DN56 N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Varenummer:WSD40120DN56

BVDS:40V

ID:120A

RDSON:1,85 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

WINSOK MOSFET produktoversigt

Spændingen på WSD40120DN56 MOSFET er 40V, strømmen er 120A, modstanden er 1,85mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET applikationsområder

E-cigaretter MOSFET, trådløs opladning MOSFET, droner MOSFET, medicinsk MOSFET, bilopladere MOSFET, controllere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrugerelektronik MOSFET.

WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET.PH4421 MOSFET PH48PJ. 544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Halvleder MOSFET PDC496X.

MOSFET parametre

Symbol

Parameter

Bedømmelse

Enheder

VDS

Drænkildespænding

40

V

VGS

Gate-Source Spænding

±20

V

ID@TC=25

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC=100

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V1,7

100

A

IDM

Pulserende drænstrøm2

400

A

EAS

Enkeltpuls lavineenergi3

240

mJ

IAS

Lavinestrøm

31

A

PD@TC=25

Total effekttab4

104

W

TSTG

Opbevaringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftsforbindelsens temperaturområde

-55 til 150

 

Symbol

Parameter

Betingelser

Min.

Typ.

Maks.

Enhed

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoefficient Henvisning til 25, jegD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Statisk afløbskilde ved modstand2 VGS=10V, ID=30A

---

1,85

2.4

mΩ

RDS(ON)

Statisk afløbskilde ved modstand2 VGS=4,5V, ID=20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Porttærskelspænding VGS=VDS, jegD=250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoefficient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Afløbskilde Lækstrøm VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Lækstrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Fremadrettet transkonduktans VDS=5V, ID=20A

---

55

---

S

Rg

Portmodstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Samlet portladning (10V) VDS=20V, VGS=10V, ID=10A

---

76

91

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

12

14.4

Qgd

Port-Drain Charge

---

15.5

18.6

Td(on)

Forsinkelsestid for tænding VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, jegD=1A,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Tid til at stå op

---

10

12

Td(fra)

Sluk-forsinkelsestid

---

58

69

Tf

Efterårstid

---

34

40

Ciss

Input Kapacitans VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

Output Kapacitans

---

690

---

Crss

Omvendt overførselskapacitans

---

370

---


  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os