WSD40120DN56 N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD40120DN56 MOSFET er 40V, strømmen er 120A, modstanden er 1,85mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
E-cigaretter MOSFET, trådløs opladning MOSFET, droner MOSFET, medicinsk MOSFET, bilopladere MOSFET, controllere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrugerelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET.PH48 Q544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Halvleder MOSFET PDC496X.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Spænding | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Pulserende drænstrøm2 | 400 | A |
| EAS | Enkeltpuls lavineenergi3 | 240 | mJ |
| IAS | Lavinestrøm | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effekttab4 | 104 | W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoefficient | Henvisning til 25℃, jegD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand2 | VGS=10V, ID=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, jegD=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoefficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Portmodstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Samlet portladning (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, jegD=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 10 | 12 | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 370 | --- |
