WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Dette er en magnetisk trådløs powerbank, der automatisk genkender Apple-telefoner og ikke kræver knapaktivering.Den integrerer 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC input og output hurtigopladningsprotokoller.Det er et trådløst powerbank-produkt, der er kompatibelt med Apple/Samsung mobiltelefons synkrone boost/step-down-konvertere, Li-batteriopladningsstyring, digital rørstrømindikation, magnetisk trådløs opladning og andre funktioner.

Model nummer:WSD4098

BVDS:40V

RDSON:7,8 mΩ

ID:22A

Kanal:Dobbelt N-kanal

Pakke:DFN5*6-8

Sommerlig produkt:Spændingen på WSD4098 MOSFET er 40V, strømmen er 22A, modstanden er 7,8mΩ, kanalen er Dual N-Channel, og pakken er DFN5*6-8.

Ansøgninger:E-cigaretter, trådløs opladning, motorer, droner, lægehjælp, bilopladere, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrugerelektronik.

Send e-mail til os PDF

Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

Generel beskrivelse

WSD4098DN56 er den højeste ydeevne trench Dual N-Ch MOSFET med ekstrem høj celletæthed, som giver fremragende RDSON og gate-opladning til de fleste af de synkrone buck-konverterapplikationer.WSD4098DN56 opfylder RoHS og grønne produktkrav 100 % EAS garanteret med fuld funktionssikkerhed godkendt.

Funktioner

Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, Super Low Gate Charge, Fremragende CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanteret, Grøn enhed tilgængelig

Ansøgninger

Højfrekvent Point-of-Load Synchronous, Buck Converter til MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådløs opladning, motorer, droner, medicinsk behandling, bilopladere, controllere, digital produkter, små husholdningsapparater, forbrugerelektronik.

tilsvarende materialenummer

AOS AON6884

Vigtige parametre

Symbol	Parameter		Bedømmelse	Enhed
Fælles vurderinger
VDSS	Drænkildespænding		40	V
VGSS	Gate-kilde spænding		±20	V
TJ	Maksimal overgangstemperatur		150	°C
TSTG	Opbevaringstemperaturområde		-55 til 150	°C
IS	Diode Kontinuerlig Fremstrøm	TA = 25°C	11.4	A
ID	Kontinuerlig drænstrøm	TA = 25°C	22	A
ID	Kontinuerlig drænstrøm			A
		TA = 70°C	22
I DM b	Puls Drænstrøm testet	TA = 25°C	88	A
PD	Maksimal effekttab	T. = 25°C	25	W
PD	Maksimal effekttab	TC=70°C	10	W
RqJL	Termisk modstand-forbindelse til bly	Steady State	5	°C/W
RqJA	Termisk modstand-forbindelse til omgivelserne	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Termisk modstand-forbindelse til omgivelserne	Steady State b	90	°C/W
I AS d	Lavinestrøm, Enkelt puls	L=0,5mH	28	A
E AS d	Lavineenergi, Enkelt puls	L=0,5mH	39,2	mJ

Symbol	Parameter	Testbetingelser		Min.	Typ.	Maks.	Enhed
Statiske egenskaber
BVDS	Drain-Source Breakdown Spænding	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Zero Gate Spænding Drain Current	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Spænding Drain Current						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	Porttærskelspænding	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Port lækstrøm	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Modstand fra drænkilde på tilstand	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Modstand fra drænkilde på tilstand	VGS=4,5V, IDS=12 A		-	9,0	11	m W
Diodekarakteristika
V SD e	Diode fremadspænding	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Omvendt gendannelsestid	ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Omvendt gendannelsesafgift	ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs		-	13	-	nC
Dynamiske egenskaber f
RG	Portmodstand	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Input Kapacitans	VGS=0V, VDS=20V, Frekvens=1,0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Output Kapacitans			-	317	-
Crss	Omvendt overførselskapacitans			-	96	-
td(ON)	Forsinkelsestid for tænding	VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Tænd Stigningstid			-	8	-
td( FRA)	Sluk-forsinkelsestid			-	30	-
tf	Sluk efterårstid			-	21	-
Gate Charge Karakteristika f
Qg	Samlet portafgift	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Samlet portafgift	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Threshold Gate Charge			-	2.6	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	4.7	-
Qgd	Port-Drain Charge			-	3	-