WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Varenummer:WSD45N10GDN56

BVDS:100V

ID:45A

RDSON:14,5 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

WINSOK MOSFET produktoversigt

Spændingen på WSD45N10GDN56 MOSFET er 100V, strømmen er 45A, modstanden er 14,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET applikationsområder

E-cigaretter MOSFET, trådløs opladning MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medicinsk MOSFET, bilopladere MOSFET, controllere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrugerelektronik MOSFET.

WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.

MOSFET parametre

Symbol

Parameter

Bedømmelse

Enheder

VDS

Drænkildespænding

100

V

VGS

Gate-Source Spænding

±20

V

ID@TC=25

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V

9.6

A

IDMa

Pulserende drænstrøm

130

A

EASb

Enkeltpuls lavineenergi

169

mJ

IASb

Lavinestrøm

26

A

PD@TC=25

Total effekttab

95

W

PD@TA=25

Total effekttab

5,0

W

TSTG

Opbevaringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftsforbindelsens temperaturområde

-55 til 150

 

Symbol

Parameter

Betingelser

Min.

Typ.

Maks.

Enhed

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA

100

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSS temperaturkoefficient Henvisning til 25, jegD=1mA

---

0,0

---

V/

RDS(ON)d

Statisk afløbskilde ved modstand2 VGS=10V, ID=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Porttærskelspænding VGS=VDS, jegD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoefficient

---

-5   mV/

IDSS

Afløbskilde Lækstrøm VDS=80V, VGS=0V, TJ=25

---

- 1

uA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55

---

- 30

IGSS

Gate-Source Lækstrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Portmodstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Samlet portladning (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=26A

---

42

59

nC

Qgse

Gate-Source Charge

---

12

--

Qgde

Port-Drain Charge

---

12

---

Td(on)e

Forsinkelsestid for tænding VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω

ID=1A,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Tid til at stå op

---

9

17

Td(fra)e

Sluk-forsinkelsestid

---

36

65

Tfe

Efterårstid

---

22

40

Cisse

Input Kapacitans VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Output Kapacitans

---

215

---

Crsse

Omvendt overførselskapacitans

---

42

---


  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os