WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD6040DN56 MOSFET er 60V, strømmen er 36A, modstanden er 14mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
E-cigaretter MOSFET, trådløs opladning MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medicinsk MOSFET, bilopladere MOSFET, controllere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrugerelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder | ||
| VDS | Drænkildespænding | 60 | V | ||
| VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V | ||
| ID | Kontinuerlig drænstrøm | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Kontinuerlig drænstrøm | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA = 100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Pulserende drænstrøm | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Maksimal effekttab | TC=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Maksimal effekttab | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA = 70°C | 1,33 | ||||
| IAS c | Lavinestrøm, enkelt puls | L=0,5mH | 16 | A | |
| EASc | Enkeltpuls lavineenergi | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diode Kontinuerlig Fremstrøm | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Maksimal overgangstemperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Termisk modstandsforbindelse til omgivelserne | Steady State | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Termisk modstand-forbindelse til sag | Steady State | 3.3 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed | |
| Statisk | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Spænding Drain Current | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Port lækstrøm | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Om Karakteristika | |||||||
| VGS(TH) | Porttærskelspænding | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(til)d | Modstand fra drænkilde på tilstand | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Skifter | |||||||
| Qg | Samlet portafgift | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 9.6 | nC | ||||
| td (til) | Forsinkelsestid for tænding | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Tænd Stigningstid | 9 | ns | ||||
| td (fra) | Sluk-forsinkelsestid | 58 | ns | ||||
| tf | Sluk efterårstid | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat modstand | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dynamisk | |||||||
| Ciss | I Kapacitans | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Ud Kapacitans | 140 | pF | ||||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | 100 | pF | ||||
| Drain-Source Diode Karakteristika og Maksimal Rating | |||||||
| IS | Kontinuerlig kildestrøm | VG=VD=0V, kraftstrøm | 18 | A | |||
| ISM | Pulserende kildestrøm3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Diode fremadspænding | ISD = 20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Omvendt gendannelsestid | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Omvendt gendannelsesafgift | 33 | nC | ||||
