WSD6060DN56 N-kanal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Varenummer:WSD6060DN56

BVDS:60V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8

Send e-mail til os PDF

Produktdetaljer

Anvendelse

Produkt Tags

WINSOK MOSFET produktoversigt

Spændingen på WSD6060DN56 MOSFET er 60V, strømmen er 65A, modstanden er 7,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET applikationsområder

E-cigaretter MOSFET, trådløs opladning MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medicinsk MOSFET, bilopladere MOSFET, controllere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrugerelektronik MOSFET.

WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

MOSFET parametre

Symbol	Parameter		Bedømmelse	Enhed
Fælles vurderinger
VDSS	Drænkildespænding		60	V
VGSS	Gate-kilde spænding		±20	V
T_J	Maksimal overgangstemperatur		150	°C
TSTG	Opbevaringstemperaturområde		-55 til 150	°C
I_S	Diode Kontinuerlig Fremstrøm	T_c=25°C	30	A
ID	Kontinuerlig drænstrøm	T_c=25°C	65	A
ID	Kontinuerlig drænstrøm	T_c=70°C	42	A
I DM b	Puls Drænstrøm testet	T_c=25°C	250	A
P_D	Maksimal effekttab	T_c=25°C	62,5	W
P_D	Maksimal effekttab	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Termisk modstand-forbindelse til bly	Steady State	2.1	°C/W
RqJA	Termisk modstand-forbindelse til omgivelserne	t £ 10'erne	45	°C/W
RqJA	Termisk modstand-forbindelse til omgivelserne	Steady State^b	50	°C/W
I AS^d	Lavinestrøm, enkelt puls	L=0,5mH	18	A
E AS d	Lavineenergi, Enkelt puls	L=0,5mH	81	mJ

Symbol	Parameter	Testbetingelser		Min.	Typ.	Maks.	Enhed
Statiske egenskaber
BV_DSS	Drain-Source Breakdown Spænding	V_GS=0V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Zero Gate Spænding Drain Current	V_DS=48V, V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Spænding Drain Current						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Porttærskelspænding	V_DS=V_GS, jeg_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Port lækstrøm	V_GS=±20V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) 3	Modstand fra drænkilde på tilstand	V_GS=10V, I_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Modstand fra drænkilde på tilstand	V_GS=4,5V, I_DS=15 A		-	10	15	m W
Diodekarakteristika
V SD	Diode fremadspænding	I_SD=1A, V_GS=0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Omvendt gendannelsestid	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Omvendt gendannelsesafgift	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Dynamiske egenskaber^3,4
R_G	Portmodstand	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Input Kapacitans	V_GS=0V, V_DS=30V, F=1,0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Output Kapacitans			-	270	-
C_rss	Omvendt overførselskapacitans			-	40	-
td(ON)	Forsinkelsestid for tænding	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Tænd Stigningstid			-	6	-
td( FRA)	Sluk-forsinkelsestid			-	33	-
t_f	Sluk efterårstid			-	30	-
Gate Charge Karakteristika ^3,4
Q_g	Samlet portafgift	V_DS=30V, V_GS=4,5V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Samlet portafgift	V_DS=30V, V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Threshold Gate Charge			-	4.1	-
Q_gs	Gate-Source Charge			-	5	-
Q_gd	Gate-Drain Charge			-	4.2	-