WSD60N10GDN56 N-kanal 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD60N10GDN56 MOSFET er 100V, strømmen er 60A, modstanden er 8,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
E-cigaretter MOSFET, trådløs opladning MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medicinsk MOSFET, bilopladere MOSFET, controllere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrugerelektronik MOSFET.
MOSFET applikationsfelterWINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre
AOS MOSFET AON6226,AON6294. TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor MOSFET PDC92X.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 100 | V |
| VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm | 60 | A |
| IDP | Pulserende drænstrøm | 210 | A |
| EAS | Lavineenergi, Enkelt puls | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Total effekttab | 125 | W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Statisk afløbskilde ved modstand | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, jegD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Samlet portladning (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=25A | --- | 49,9 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=50V, VGS=10V,RG=2,2Ω, ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 5 | --- | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 51,8 | --- | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Kontinuerlig kildestrøm | VG=VD=0V , kraftstrøm | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Pulserende kildestrøm | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Diode fremadspænding | VGS=0V, IS=12A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Omvendt gendannelsestid | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 60,4 | --- | nS |
| Qrr | Omvendt gendannelsesafgift | --- | 106,1 | --- | nC |
