WSD60N12GDN56 N-kanal 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD60N12GDN56 MOSFET er 120V, strømmen er 70A, modstanden er 10mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
Medicinsk udstyr MOSFET, droner MOSFET, PD strømforsyninger MOSFET, LED strømforsyninger MOSFET, industrielt udstyr MOSFET.
MOSFET applikationsfelterWINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 120 | V |
| VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm | 70 | A |
| IDP | Pulserende drænstrøm | 150 | A |
| EAS | Lavineenergi, Enkelt puls | 53,8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Total effekttab | 140 | W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Betingelser | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 120 | --- | --- | V |
| Statisk afløbskilde ved modstand | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, jegD=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Samlet portladning (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Port-Drain Charge | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=50V, VGS=10V, RG=2Ω, ID=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Tid til at stå op | --- | 10 | --- | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 11 | --- | ||
| IS | Kontinuerlig kildestrøm | VG=VD=0V , kraftstrøm | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Pulserende kildestrøm | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Diode fremadspænding | VGS=0V, IS=12A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Omvendt gendannelsestid | IF=25A, dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Omvendt gendannelsesafgift | --- | 135 | --- | nC |
