WSD75100DN56 N-kanal 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD75100DN56 MOSFET er 75V, strømmen er 100A, modstanden er 5,3mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
E-cigaretter MOSFET, trådløs opladning MOSFET, droner MOSFET, medicinsk MOSFET, bilopladere MOSFET, controllere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrugerelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7PONSFET3 MOSFET3 MOSFET7, MOSFET7, MOSFET3, MOSFET3 PDC7966X.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 75 | V |
| VGS | Gate-Source Spænding | ±25 | V |
| TJ | Maksimal overgangstemperatur | 150 | °C |
| ID | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | °C |
| IS | Diode kontinuerlig fremadrettet strøm,TC=25°C | 50 | A |
| ID | Kontinuerlig drænstrøm, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Kontinuerlig drænstrøm, VGS=10V,TC= 100°C | 73 | A | |
| IDM | Pulserende drænstrøm ,TC=25°C | 400 | A |
| PD | Maksimal effekttab,TC=25°C | 155 | W |
| Maksimal effekttab,TC= 100°C | 62 | W | |
| RθJA | Termisk modstand-forbindelse til omgivende ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Termisk modstand-forbindelse til omgivende, stabil tilstand | 60 | °C | |
| RqJC | Termisk modstand-forbindelse til sag | 0,8 | °C |
| IAS | Lavinestrøm, Enkelt puls, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Lavineenergi, Enkelt puls, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoefficient | Henvisning til 25℃, jegD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, jegD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoefficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drænkilde Lækstrøm | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Portmodstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Samlet portladning (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 17 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, jegD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 14 | 26 | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Output Kapacitans | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | 100 | 195 | 250 |
