WSD75N12GDN56 N-kanal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversigt
Spændingen på WSD75N12GDN56 MOSFET er 120V, strømmen er 75A, modstanden er 6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområder
Medicinsk udstyr MOSFET, droner MOSFET, PD strømforsyninger MOSFET, LED strømforsyninger MOSFET, industrielt udstyr MOSFET.
MOSFET applikationsfelterWINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
MOSFET parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDSS | Dræn-til-kilde spænding | 120 | V |
| VGS | Gate-til-kilde spænding | ±20 | V |
| ID | 1 Kontinuerlig drænstrøm (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Kontinuerlig drænstrøm (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Pulserende drænstrøm | 320 | A |
| IAR | Enkeltpuls lavinestrøm | 40 | A |
| EASa | Enkeltpuls lavineenergi | 240 | mJ |
| PD | Effekttab | 125 | W |
| TJ, Tstg | Driftsforbindelse og opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TL | Maksimal temperatur for lodning | 260 | ℃ |
| RθJC | Termisk modstand, Junction-to-Case | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Termisk modstand, Junction-to-Ambient | 50 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Testbetingelser | Min. | Typ. | Maks. | Enheder |
| VDSS | Dræn til kildenedbrudsspænding | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Dræn til kildelækagestrøm | VDS = 120V, VGS = 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Gate til Kilde Fremad Lækage | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Port til kilde omvendt lækage | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Porttærskelspænding | VDS=VGS, ID = 250 µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Dræn-til-kilde ved-modstand | VGS=10V, ID=20A | -- | 6,0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Fremadrettet transkonduktans | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Input Kapacitans | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Portmodstand | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Forsinkelsestid for tænding | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Tid til at stå op | -- | 11 | -- | ns | |
| td(OFF) | Sluk-forsinkelsestid | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Efterårstid | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Samlet portafgift | VGS =0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Gate Source Charge | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Portafløbsladning | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Diode fremstrøm | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Diode pulsstrøm | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Diode fremadspænding | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Omvendt gendannelsestid | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Omvendt gendannelsesafgift | -- | 250 | -- | nC |
