WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Varenummer:WSD80120DN56

BVDS:85V

ID:120A

RDSON:3,7 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Anvendelse

Produkt Tags

WINSOK MOSFET produktoversigt

Spændingen på WSD80120DN56 MOSFET er 85V, strømmen er 120A, modstanden er 3,7mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET applikationsområder

Medicinsk spænding MOSFET, fotografisk udstyr MOSFET, droner MOSFET, industriel kontrol MOSFET, 5G MOSFET, automobilelektronik MOSFET.

WINSOK MOSFET svarer til andre mærkematerialenumre

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

MOSFET parametre

Symbol

Parameter

Bedømmelse

Enheder

VDS

Drænkildespænding

85

V

VGS

Gate-Source Spænding

±25

V

ID@TC=25

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V

120

A

ID@TC=100

Kontinuerlig drænstrøm, VGS@ 10V

96

A

IDM

Pulserende drænstrøm..TC=25°C

384

A

EAS

Lavineenergi, Enkelt puls, L=0,5mH

320

mJ

IAS

Lavinestrøm, Enkelt puls, L=0,5mH

180

A

PD@TC=25

Total effekttab

104

W

PD@TC=100

Total effekttab

53

W

TSTG

Opbevaringstemperaturområde

-55 til 175

TJ

Driftsforbindelsens temperaturområde

175

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhed

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA 85

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoefficient Henvisning til 25, jegD=1mA

---

0,096

---

V/

RDS(ON)

Statisk afløbskilde ved modstand VGS=10V,ID=50A

---

3.7

4.8

mΩ

VGS(th)

Porttærskelspænding VGS=VDS, jegD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoefficient

---

-5,5

---

mV/

IDSS

Afløbskilde Lækstrøm VDS=85V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=85V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Lækstrøm VGS=±25V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Rg

Portmodstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.2

---

Ω

Qg

Samlet portladning (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=10A

---

54

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

17

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

11

---

Td(on)

Forsinkelsestid for tænding VDD=50V, VGS=10V,

RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A.

---

21

---

ns

Tr

Opgangstid

---

18

---

Td(fra)

Sluk-forsinkelsestid

---

36

---

Tf

Efterårstid

---

10

---

Ciss

Input Kapacitans VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz

---

3750

---

pF

Coss

Output Kapacitans

---

395

---

Crss

Omvendt overførselskapacitans

---

180

---


  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os