WSM320N04G N-kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Generel beskrivelse
WSM320N04G er en højtydende MOSFET, der bruger et rendedesign og har en meget høj celletæthed. Den har fremragende RDSON- og gate-opladning og er velegnet til de fleste synkrone buck-konverter-applikationer. WSM320N04G opfylder RoHS- og grønne produktkrav og er garanteret 100 % EAS og fuld funktionssikkerhed.
Funktioner
Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, samtidig med at den har en lav portladning for optimal ydeevne. Derudover kan den prale af en fremragende CdV/dt-effektnedgang, en 100 % EAS-garanti og en miljøvenlig mulighed.
Ansøgninger
Højfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Power Tool Application, Elektroniske cigaretter, trådløs opladning, droner, medicinsk, bilopladning, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrugerelektronik.
Vigtige parametre
Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder | |
VDS | Drænkildespænding | 40 | V | |
VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V | |
ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
ID@TC=100℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
IDM | Pulserende drænstrøm2 | 900 | A | |
EAS | Enkeltpuls lavineenergi3 | 980 | mJ | |
IAS | Lavinestrøm | 70 | A | |
PD@TC=25℃ | Total effekttab 4 | 250 | W | |
TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 175 | ℃ | |
TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Reference til 25℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statisk drænkilde ved modstand2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
RDS(ON) | Statisk drænkilde ved modstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
△VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
Rg | Portmodstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qg | Samlet portladning (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 43 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 83 | --- | ||
Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
Tr | Opgangstid | --- | 115 | --- | ||
Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 95 | --- | ||
Tf | Efterårstid | --- | 80 | --- | ||
Ciss | Input Kapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
Coss | Output Kapacitans | --- | 1200 | --- | ||
Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 800 | --- |