WSM320N04G N-kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Produkter

WSM320N04G N-kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:


  • Model nummer:WSM320N04G
  • BVDS:40V
  • RDSON:1,2 mΩ
  • ID:320A
  • Kanal:N-kanal
  • Pakke:TOLL-8L
  • Sommerlig produkt:WSM320N04G MOSFET har en spænding på 40V, en strømstyrke på 320A, en modstand på 1,2mΩ, en N-kanal og en TOLL-8L-pakke.
  • Ansøgninger:Elektroniske cigaretter, trådløs opladning, droner, medicinsk, bilopladning, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrugerelektronik.
  • Produktdetaljer

    Ansøgning

    Produkt Tags

    Generel beskrivelse

    WSM320N04G er en højtydende MOSFET, der bruger et rendedesign og har en meget høj celletæthed.Den har fremragende RDSON- og gate-opladning og er velegnet til de fleste synkrone buck-konverter-applikationer.WSM320N04G opfylder RoHS- og grønne produktkrav og er garanteret 100 % EAS og fuld funktionssikkerhed.

    Funktioner

    Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, samtidig med at den har en lav portladning for optimal ydeevne.Derudover kan den prale af en fremragende CdV/dt-effektnedgang, en 100 % EAS-garanti og en miljøvenlig mulighed.

    Ansøgninger

    Højfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Power Tool Application, Elektroniske cigaretter, trådløs opladning, droner, medicinsk, bilopladning, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrugerelektronik.

    Vigtige parametre

    Symbol Parameter Bedømmelse Enheder
    VDS Drænkildespænding 40 V
    VGS Gate-kilde spænding ±20 V
    ID@TC=25℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7 320 A
    ID@TC=100℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1,7 192 A
    IDM Pulserende drænstrøm2 900 A
    EAS Enkeltpuls lavineenergi3 980 mJ
    IAS Lavinestrøm 70 A
    PD@TC=25℃ Total effekttab 4 250 W
    TSTG Opbevaringstemperaturområde -55 til 175
    TJ Driftsforbindelsens temperaturområde -55 til 175
    Symbol Parameter Betingelser Min. Typ. Maks. Enhed
    BVDS Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA 40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturkoefficient Reference til 25℃, ID=1mA --- 0,050 --- V/℃
    RDS(ON) Statisk drænkilde ved modstand2 VGS=10V, ID=25A --- 1.2 1.5
    RDS(ON) Statisk drænkilde ved modstand2 VGS=4,5V, ID=20A --- 1.7 2.5
    VGS(th) Porttærskelspænding VGS=VDS, ID =250uA 1.2 1.7 2.6 V
    △VGS(th) VGS(th) temperaturkoefficient --- -6,94 --- mV/℃
    IDSS Afløbskilde Lækstrøm VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Gate-Source Lækstrøm VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Fremadrettet transkonduktans VDS=5V, ID=50A --- 160 --- S
    Rg Portmodstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Samlet portladning (10V) VDS=20V, VGS=10V, ID=25A --- 130 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 43 ---
    Qgd Port-Drain Charge --- 83 ---
    Td(on) Forsinkelsestid for tænding VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. --- 30 --- ns
    Tr Tid til at stå op --- 115 ---
    Td(fra) Sluk-forsinkelsestid --- 95 ---
    Tf Efterårstid --- 80 ---
    Ciss Input Kapacitans VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 8100 --- pF
    Coss Output Kapacitans --- 1200 ---
    Crss Omvendt overførselskapacitans --- 800 ---

  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os