WSM340N10G N-kanal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Model nummer:WSM340N10G

BVDS:100V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Kanal:N-kanal

Pakke:TOLL-8L

Sommerlig produkt:Spændingen på WSM340N10G MOSFET er 100V, strømmen er 340A, modstanden er 1,6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er TOLL-8L.

Ansøgninger:Medicinsk udstyr, droner, PD-strømforsyninger, LED-strømforsyninger, industrielt udstyr mv.

Send e-mail til os PDF

Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

Generel beskrivelse

WSM340N10G er den højeste ydelsesgrav N-Ch MOSFET med ekstrem høj celletæthed, som giver fremragende RDSON- og gate-opladning til de fleste applikationer med synkrone buck-konvertere.WSM340N10G opfylder RoHS og Green Product-kravet, 100 % EAS garanteret med fuld funktionssikkerhed godkendt.

Funktioner

Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, Super Low Gate Charge, fremragende CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanteret, grøn enhed tilgængelig.

Ansøgninger

Synkron ensretning, DC/DC-konverter, belastningskontakt, medicinsk udstyr, droner, PD-strømforsyninger, LED-strømforsyninger, industrielt udstyr mv.

Vigtige parametre

Absolut maksimale vurderinger

Symbol	Parameter	Bedømmelse	Enheder
VDS	Drænkildespænding	100	V
VGS	Gate-kilde spænding	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V	230	A
IDM	Pulserende drænstrøm..TC=25°C	1150	A
EAS	Lavineenergi, Enkelt puls, L=0,5mH	1800	mJ
IAS	Lavinestrøm, Enkelt puls, L=0,5mH	120	A
PD@TC=25℃	Total effekttab	375	W
PD@TC=100℃	Total effekttab	187	W
TSTG	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	℃
TJ	Driftsforbindelsens temperaturområde	175	℃

Elektriske egenskaber (TJ=25℃, medmindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
BVDS	Drain-Source Breakdown Spænding	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Reference til 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk afløbskilde ved modstand	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Porttærskelspænding	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Lækstrøm	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Portmodstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Samlet portladning (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	80	---
Qgd	Port-Drain Charge		---	60	---
Td(on)	Forsinkelsestid for tænding	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Tid til at stå op		---	50	---
Td(fra)	Sluk-forsinkelsestid		---	228	---
Tf	Efterårstid		---	322	---
Ciss	Input Kapacitans	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Output Kapacitans		---	6160	---
Crss	Omvendt overførselskapacitans		---	220	---