WSM340N10G N-kanal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Generel beskrivelse
WSM340N10G er den højeste ydeevne skyttegrav N-Ch MOSFET med ekstrem høj celletæthed, som giver fremragende RDSON- og gate-opladning til de fleste applikationer med synkron buck-konverter. WSM340N10G opfylder RoHS og Green Product-kravet, 100 % EAS garanteret med fuld funktionssikkerhed godkendt.
Funktioner
Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, Super Low Gate Charge, fremragende CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanteret, grøn enhed tilgængelig.
Ansøgninger
Synkron ensretning, DC/DC-konverter, belastningskontakt, medicinsk udstyr, droner, PD-strømforsyninger, LED-strømforsyninger, industrielt udstyr mv.
Vigtige parametre
Absolut maksimale vurderinger
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 100 | V |
| VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | Pulserende drænstrøm..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | Lavineenergi, Enkelt puls, L=0,5mH | 1800 | mJ |
| IAS | Lavinestrøm, Enkelt puls, L=0,5mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effekttab | 375 | W |
| PD@TC=100℃ | Total effekttab | 187 | W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | 175 | ℃ |
Elektriske egenskaber (TJ=25℃, medmindre andet er angivet)
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Reference til 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk afløbskilde ved modstand | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Portmodstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Samlet portladning (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 60 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 50 | --- | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 228 | --- | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 322 | --- | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 6160 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 220 | --- |
Skriv din besked her og send den til os
