WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Model nummer:WSP4016

BVDS:40V

RDSON:11,5 mΩ

ID:15,5A

Kanal:N-kanal

Pakke:SOP-8

Sommerlig produkt:Spændingen på WSP4016 MOSFET er 40V, strømmen er 15,5A, modstanden er 11,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er SOP-8.

Ansøgninger:Bilelektronik, LED-lys, lyd, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrugerelektronik, beskyttelsestavler osv.

Send e-mail til os PDF

Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

Generel beskrivelse

WSP4016 er den højeste ydeevne trench N-ch MOSFET med ekstrem høj celletæthed, som giver fremragende RDSON- og gate-opladninger til de fleste af de synkrone buck-konverter-applikationer.WSP4016 opfylder RoHS og Green Product-kravet, 100% EAS garanteret med fuld funktionssikkerhed godkendt.

Funktioner

Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, Super Low Gate Charge, Fremragende CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanteret, Grøn enhed tilgængelig.

Ansøgninger

Hvide LED-boost-konvertere, Automotive Systems, Industrial DC/DC Conversion Circuits, EAutomotive electronics, LED-lys, audio, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrugerelektronik, beskyttelsestavler osv.

tilsvarende materialenummer

AO AOSP66406, PÅ FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Vigtige parametre

Symbol	Parameter	Bedømmelse	Enheder
VDS	Drænkildespænding	40	V
VGS	Gate-kilde spænding	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1	15.5	A
ID@TC=70℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Pulserende drænstrøm2	30	A
PD@TA=25℃	Total effekttab TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	Total effekttab TA=70°C	1.3	W
TSTG	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 150	℃
TJ	Driftsforbindelsens temperaturområde	-55 til 150	℃

Elektriske egenskaber (TJ=25 ℃, medmindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
BVDS	Drain-Source Breakdown Spænding	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS(ON)	Statisk drænkilde ved modstand2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS(ON)	Statisk drænkilde ved modstand2	VGS=4,5V, ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS(th)	Porttærskelspænding	VGS=VDS, ID =250uA	1.0	1.8	2.5	V
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Gate-Source Lækstrøm	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Fremadrettet transkonduktans	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Samlet portopladning (4,5 V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3.9	---
Qgd	Port-Drain Charge		---	3	---
Td(on)	Forsinkelsestid for tænding	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Tid til at stå op		---	10	---
Td(fra)	Sluk-forsinkelsestid		---	23.6	---
Tf	Efterårstid		---	6	---
Ciss	Input Kapacitans	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
Coss	Output Kapacitans		---	132	---
Crss	Omvendt overførselskapacitans		---	70	---