WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Generel beskrivelse
WSP4016 er den højeste ydeevne trench N-ch MOSFET med ekstrem høj celletæthed, som giver fremragende RDSON- og gate-opladninger til de fleste af de synkrone buck-konverter-applikationer. WSP4016 opfylder RoHS og Green Product-kravet, 100% EAS garanteret med fuld funktionssikkerhed godkendt.
Funktioner
Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, Super Low Gate Charge, Fremragende CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanteret, Grøn enhed tilgængelig.
Ansøgninger
Hvide LED boost-konvertere, Automotive Systems, Industrial DC/DC Conversion Circuits, EAutomotive electronics, LED-lys, audio, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrugerelektronik, beskyttelsestavler osv.
tilsvarende materialenummer
AO AOSP66406, PÅ FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Vigtige parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | 40 | V |
| VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1 | 15.5 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
| IDM | Pulserende drænstrøm2 | 30 | A |
| PD@TA=25℃ | Total effekttab TA=25°C | 2.08 | W |
| PD@TA=70℃ | Total effekttab TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
Elektriske egenskaber (TJ=25 ℃, medmindre andet er angivet)
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Statisk drænkilde ved modstand2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | Samlet portladning (4,5V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 10 | --- | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 132 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 70 | --- |
Bemærk:
1.Pulstest: PW<= 300 us duty cycle<= 2 %.
2. Garanteret af design, ikke underlagt produktionstestning.
