WSP4099 Dual P-Channel -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Generel beskrivelse
WSP4099 er en kraftfuld rende P-ch MOSFET med høj celletæthed. Den leverer fremragende RDSON- og gate-opladning, hvilket gør den velegnet til de fleste synkrone buck-konverterapplikationer. Den opfylder RoHS- og GreenProduct-standarder og har 100 % EAS-garanti med fuld funktionssikkerhedsgodkendelse.
Funktioner
Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, ultra-lav gate-opladning, fremragende CdV/dt-effektforfald og en 100 % EAS-garanti er alle funktioner i vores grønne enheder, der er let tilgængelige.
Ansøgninger
Højfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter til MB/NB/UMPC/VGA, Netværk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådløs opladning, motorer, droner, medicinsk behandling, bilopladere, controllere, digitale produkter , små husholdningsapparater og forbrugerelektronik.
tilsvarende materialenummer
PÅ FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A,Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.
Vigtige parametre
Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
VDS | Drænkildespænding | -40 | V |
VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
ID@TC=100℃ | Kontinuerlig drænstrøm, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
IDM | Pulserende drænstrøm2 | -22 | A |
EAS | Enkeltpuls lavineenergi3 | 25 | mJ |
IAS | Lavinestrøm | -10 | A |
PD@TC=25℃ | Total effekttab 4 | 2.0 | W |
TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Reference til 25℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statisk drænkilde ved modstand2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
VGS=-4,5V, ID=-4,5A | --- | 46 | 62 | |||
VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =-250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
△VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
Qg | Samlet portopladning (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 2.4 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3.5 | --- | ||
Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
Tr | Opgangstid | --- | 7 | --- | ||
Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 31 | --- | ||
Tf | Efterårstid | --- | 17 | --- | ||
Ciss | Input Kapacitans | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
Coss | Output Kapacitans | --- | 98 | --- | ||
Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 72 | --- |