WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Generel beskrivelse
WSP4447 er en top-performerende MOSFET, der anvender trench-teknologi og har en høj celletæthed. Den tilbyder fremragende RDSON- og gate-opladning, hvilket gør den velegnet til brug i de fleste synkrone buck-konverterapplikationer. WSP4447 opfylder RoHS- og Green Product-standarder og leveres med 100 % EAS-garanti for fuld pålidelighed.
Funktioner
Avanceret trench-teknologi giver mulighed for højere celletæthed, hvilket resulterer i en Green Device med Super Low Gate Charge og fremragende CdV/dt-effektnedgang.
Ansøgninger
Højfrekvensomformer til en række elektronik
Denne konverter er designet til effektivt at drive en bred vifte af enheder, herunder bærbare computere, spillekonsoller, netværksudstyr, e-cigaretter, trådløse opladere, motorer, droner, medicinsk udstyr, bilopladere, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrugere elektronik.
tilsvarende materialenummer
AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.
Vigtige parametre
| Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder |
| VDS | Drænkildespænding | -40 | V |
| VGS | Gate-kilde spænding | ±20 | V |
| ID@TA=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V1 | -9,0 | A |
| IDM a | 300µs pulseret drænstrøm (VGS=-10V) | -44 | A |
| EAS b | Lavineenergi, enkelt puls (L=0,1mH) | 54 | mJ |
| IAS b | Lavinestrøm, enkelt puls (L=0,1mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | Total effekttab 4 | 2.0 | W |
| TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Reference til 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk drænkilde ved modstand2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =-250uA | -1.4 | -1.9 | -2.4 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Samlet portopladning (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 8 | --- | ||
| Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=-20V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Opgangstid | --- | 12 | --- | ||
| Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Efterårstid | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Input Kapacitans | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Coss | Output Kapacitans | --- | 235 | --- | ||
| Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 180 | --- |
