WSR200N08 N-kanal 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Model nummer:WSR200N08

BVDS:80V

RDSON:2,9 mΩ

ID:200A

Kanal:N-kanal

Pakke:TO-220-3L

Sommerlig produkt:WSR200N08 MOSFET kan håndtere op til 80 volt og 200 ampere med en modstand på 2,9 milliohm.Det er en N-kanal enhed og kommer i en TO-220-3L pakke.

Ansøgninger:Elektroniske cigaretter, trådløse opladere, motorer, batteristyringssystemer, backup-strømkilder, ubemandede luftfartøjer, sundhedsudstyr, opladningsudstyr til elektriske køretøjer, kontrolenheder, 3D-printmaskiner, elektroniske enheder, små husholdningsapparater og forbrugerelektronik.

Send e-mail til os PDF

Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

Generel beskrivelse

WSR200N08 er den højeste ydeevne trench N-Ch MOSFET med ekstrem høj celletæthed, som giver fremragende RDSON og gate-opladning til de fleste applikationer med synkron buck-konverter.WSR200N08 opfylder RoHS og Green Product-kravet, 100 % EAS garanteret med fuld funktionssikkerhed godkendt.

Funktioner

Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, Super Low Gate Charge, fremragende CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanteret, grøn enhed tilgængelig.

Ansøgninger

Skifteapplikation, strømstyring til invertersystemer, elektroniske cigaretter, trådløs opladning, motorer, BMS, nødstrømforsyninger, droner, medicinsk, bilopladning, controllere, 3D-printere, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrugerelektronik mv.

tilsvarende materialenummer

AO AOT480L, PÅ FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1 osv.

Vigtige parametre

Elektriske egenskaber (TJ=25℃, medmindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Bedømmelse	Enheder
VDS	Drænkildespænding	80	V
VGS	Gate-kilde spænding	±25	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulserende drænstrøm2,TC=25°C	790	A
EAS	Lavineenergi, Enkelt puls, L=0,5mH	1496	mJ
IAS	Lavinestrøm, Enkelt puls, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Total effekttab 4	345	W
PD@TC=100℃	Total effekttab 4	173	W
TSTG	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	℃
TJ	Driftsforbindelsens temperaturområde	175	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
BVDS	Drain-Source Breakdown Spænding	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Reference til 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk drænkilde ved modstand2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Porttærskelspænding	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Lækstrøm	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Portmodstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Samlet portladning (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	31	---
Qgd	Port-Drain Charge		---	75	---
Td(on)	Forsinkelsestid for tænding	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Tid til at stå op		---	18	---
Td(fra)	Sluk-forsinkelsestid		---	42	---
Tf	Efterårstid		---	54	---
Ciss	Input Kapacitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Output Kapacitans		---	1029	---
Crss	Omvendt overførselskapacitans		---	650	---