WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Model nummer:WST2078

BVDS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ID:3,8A/-4,5A

Kanal:N&P kanal

Pakke:SOT-23-6L

Sommerlig produkt:WST2078 MOSFET har spændingsværdier på 20V og -20V.Den kan håndtere strømme på 3,8A og -4,5A, og har modstandsværdier på 45mΩ og 65mΩ.MOSFET'en har både N&P Channel-funktioner og leveres i en SOT-23-6L-pakke.

Ansøgninger:E-cigaretter, controllere, digitale produkter, apparater og forbrugerelektronik.

Send e-mail til os PDF

Produktdetaljer

Ansøgning

Produkt Tags

Generel beskrivelse

WST2078 er den bedste MOSFET til små strømafbrydere og belastningsapplikationer.Den har en høj celletæthed, der giver fremragende RDSON- og portladning.Den opfylder RoHS- og Green Product-kravene og er blevet godkendt til fuld funktionssikkerhed.

Funktioner

Avanceret teknologi med skyttegrave med høj celletæthed, ekstrem lav gate-ladning og fremragende reduktion af Cdv/dt-effekter.Denne enhed er også miljøvenlig.

Ansøgninger

Højfrekvent belastningspunkt synkron lille strømomskifter er perfekt til brug i MB/NB/UMPC/VGA, netværk DC-DC strømsystemer, belastningskontakter, e-cigaretter, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrugere elektronik.

tilsvarende materialenummer

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Vigtige parametre

Symbol	Parameter	Bedømmelse		Enheder
Symbol	Parameter	N-kanal	P-kanal	Enheder
VDS	Drænkildespænding	20	-20	V
VGS	Gate-kilde spænding	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4.5V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70℃	Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Pulserende drænstrøm2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Total effekttab 3	1.4	1.4	W
TSTG	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 150	-55 til 150	℃
TJ	Driftsforbindelsens temperaturområde	-55 til 150	-55 til 150	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
BVDS	Drain-Source Breakdown Spænding	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Reference til 25℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk drænkilde ved modstand2	VGS=4,5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8V, ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Porttærskelspænding	VGS=VDS, ID =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afløbskilde Lækstrøm	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Lækstrøm	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Fremadrettet transkonduktans	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Portmodstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Samlet portopladning (4,5 V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.5	---
Qgd	Port-Drain Charge		---	2.1	---
Td(on)	Forsinkelsestid for tænding	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Tid til at stå op		---	13	23
Td(fra)	Sluk-forsinkelsestid		---	15	28
Tf	Efterårstid		---	3	5.5
Ciss	Input Kapacitans	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Output Kapacitans		---	51	---
Crss	Omvendt overførselskapacitans		---	52	---