WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

produkter

WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:


  • Modelnummer:WST2078
  • BVDS:20V/-20V
  • RDSON:45mΩ/65mΩ
  • ID:3,8A/-4,5A
  • Kanal:N&P kanal
  • Pakke:SOT-23-6L
  • Sommerlig produkt:WST2078 MOSFET har spændingsklassificeringer på 20V og -20V. Den kan håndtere strømme på 3,8A og -4,5A, og har modstandsværdier på 45mΩ og 65mΩ. MOSFET'en har både N&P Channel-funktioner og kommer i en SOT-23-6L-pakke.
  • Ansøgninger:E-cigaretter, controllere, digitale produkter, apparater og forbrugerelektronik.
  • Produktdetaljer

    Anvendelse

    Produkt Tags

    Generel beskrivelse

    WST2078 er den bedste MOSFET til små strømafbrydere og belastningsapplikationer. Den har en høj celletæthed, der giver fremragende RDSON- og portladning. Den opfylder RoHS- og Green Product-kravene og er blevet godkendt til fuld funktionssikkerhed.

    Funktioner

    Avanceret teknologi med skyttegrave med høj celletæthed, ekstrem lav gate-ladning og fremragende reduktion af Cdv/dt-effekter. Denne enhed er også miljøvenlig.

    Ansøgninger

    Højfrekvent belastningspunkt synkron lille strømomskifter er perfekt til brug i MB/NB/UMPC/VGA, netværk DC-DC strømsystemer, belastningskontakter, e-cigaretter, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrugere elektronik.

    tilsvarende materialenummer

    AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

    Vigtige parametre

    Symbol Parameter Bedømmelse Enheder
    N-kanal P-kanal
    VDS Drænkildespænding 20 -20 V
    VGS Gate-kilde spænding ±12 ±12 V
    ID@Tc=25℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4.5V1 3.8 -4,5 A
    ID@Tc=70℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4.5V1 2.8 -2.6 A
    IDM Pulserende drænstrøm2 20 -13 A
    PD@TA=25℃ Total effekttab 3 1.4 1.4 W
    TSTG Opbevaringstemperaturområde -55 til 150 -55 til 150
    TJ Driftsforbindelsens temperaturområde -55 til 150 -55 til 150
    Symbol Parameter Forhold Min. Typ. Maks. Enhed
    BVDS Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturkoefficient Reference til 25℃, ID=1mA --- 0,024 --- V/℃
    RDS(ON) Statisk drænkilde ved modstand2 VGS=4,5V, ID=3A --- 45 55
    VGS=2,5V, ID=1A --- 60 80
    VGS=1,8V, ID=1A --- 85 120
    VGS(th) Porttærskelspænding VGS=VDS, ID =250uA 0,5 0,7 1 V
    △VGS(th) VGS(th) temperaturkoefficient --- -2,51 --- mV/℃
    IDSS Afløbskilde Lækstrøm VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-Source Lækstrøm VGS=±8V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Fremadrettet transkonduktans VDS=5V, ID=1A --- 8 --- S
    Rg Portmodstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 2.5 3.5 Ω
    Qg Samlet portladning (4,5V) VDS=10V, VGS=10V, ID=3A --- 7.8 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.1 ---
    Td(on) Forsinkelsestid for tænding VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω

    ID=3A RL=10Ω

    --- 2.4 4.3 ns
    Tr Opgangstid --- 13 23
    Td(fra) Sluk-forsinkelsestid --- 15 28
    Tf Efterårstid --- 3 5.5
    Ciss Input Kapacitans VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 450 --- pF
    Coss Output Kapacitans --- 51 ---
    Crss Omvendt overførselskapacitans --- 52 ---

  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os