WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Generel beskrivelse
WST2078 er den bedste MOSFET til små strømafbrydere og belastningsapplikationer. Den har en høj celletæthed, der giver fremragende RDSON- og portladning. Den opfylder RoHS- og Green Product-kravene og er blevet godkendt til fuld funktionssikkerhed.
Funktioner
Avanceret teknologi med skyttegrave med høj celletæthed, ekstrem lav gate-ladning og fremragende reduktion af Cdv/dt-effekter. Denne enhed er også miljøvenlig.
Ansøgninger
Højfrekvent belastningspunkt synkron lille strømomskifter er perfekt til brug i MB/NB/UMPC/VGA, netværk DC-DC strømsystemer, belastningskontakter, e-cigaretter, controllere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrugere elektronik.
tilsvarende materialenummer
AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.
Vigtige parametre
Symbol | Parameter | Bedømmelse | Enheder | |
N-kanal | P-kanal | |||
VDS | Drænkildespænding | 20 | -20 | V |
VGS | Gate-kilde spænding | ±12 | ±12 | V |
ID@Tc=25℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | -4,5 | A |
ID@Tc=70℃ | Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4.5V1 | 2.8 | -2.6 | A |
IDM | Pulserende drænstrøm2 | 20 | -13 | A |
PD@TA=25℃ | Total effekttab 3 | 1.4 | 1.4 | W |
TSTG | Opbevaringstemperaturområde | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
TJ | Driftsforbindelsens temperaturområde | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhed |
BVDS | Drain-Source Breakdown Spænding | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Reference til 25℃, ID=1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statisk drænkilde ved modstand2 | VGS=4,5V, ID=3A | --- | 45 | 55 | mΩ |
VGS=2,5V, ID=1A | --- | 60 | 80 | |||
VGS=1,8V, ID=1A | --- | 85 | 120 | |||
VGS(th) | Porttærskelspænding | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
△VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Afløbskilde Lækstrøm | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-Source Lækstrøm | VGS=±8V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Fremadrettet transkonduktans | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
Rg | Portmodstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
Qg | Samlet portladning (4,5V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.5 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.1 | --- | ||
Td(on) | Forsinkelsestid for tænding | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
Tr | Opgangstid | --- | 13 | 23 | ||
Td(fra) | Sluk-forsinkelsestid | --- | 15 | 28 | ||
Tf | Efterårstid | --- | 3 | 5.5 | ||
Ciss | Input Kapacitans | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 450 | --- | pF |
Coss | Output Kapacitans | --- | 51 | --- | ||
Crss | Omvendt overførselskapacitans | --- | 52 | --- |