WST2088 N-kanal 20V 8,8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

produkter

WST2088 N-kanal 20V 8,8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:


  • Modelnummer:WST2088
  • BVDS:20V
  • RDSON:8mΩ
  • ID:8,8A
  • Kanal:N-kanal
  • Pakke:SOT-23-3L
  • Sommerlig produkt:Spændingen på WST2088 MOSFET er 20V, strømmen er 8,8A, modstanden er 8mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er SOT-23-3L.
  • Ansøgninger:Elektroniske cigaretter, controllere, digitale enheder, små husholdningsapparater og forbrugerelektronik.
  • Produktdetaljer

    Anvendelse

    Produkt Tags

    Generel beskrivelse

    WST2088 MOSFET'erne er de mest avancerede N-kanal transistorer på markedet. De har en utrolig høj celletæthed, hvilket resulterer i fremragende RDSON og portladning. Disse MOSFET'er er perfekte til små power switching og load switch applikationer. De opfylder RoHS- og Green Product-kravene og er blevet fuldt testet for pålidelighed.

    Funktioner

    Avanceret trench-teknologi med høj celletæthed, Super Low Gate Charge og fremragende Cdv/dt-effektnedgang, hvilket gør den til en grøn enhed.

    Ansøgninger

    Strømapplikationer, kredsløb med hård switching og højfrekvens, uafbrudte strømforsyninger, e-cigaretter, controllere, elektroniske enheder, små husholdningsapparater og forbrugerelektronik.

    tilsvarende materialenummer

    AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214 osv.

    Vigtige parametre

    Symbol Parameter Bedømmelse Enheder
    VDS Drænkildespænding 20 V
    VGS Gate-kilde spænding ±12 V
    ID@Tc=25℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4,5V 8.8 A
    ID@Tc=70℃ Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ 4,5V 6.2 A
    IDP Pulserende drænstrøm 40 A
    PD@TA=25℃ Total effekttab 1.5 W
    TSTG Opbevaringstemperaturområde -55 til 150
    TJ Driftsforbindelsens temperaturområde -55 til 150

    Elektriske egenskaber (TJ=25 ℃, medmindre andet er angivet)

    Symbol Parameter Forhold Min. Typ. Maks. Enhed
    BVDS Drain-Source Breakdown Spænding VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturkoefficient Reference til 25℃, ID=1mA --- 0,018 --- V/℃
    RDS(ON) Statisk drænkilde ved modstand2 VGS=4,5V, ID=6A --- 8 13
    VGS=2,5V, ID=5A --- 10 19
    VGS(th) Porttærskelspænding VGS=VDS, ID =250uA 0,5 --- 1.3 V
    IDSS Afløbskilde Lækstrøm VDS=16V, VGS=0V. --- --- 10 uA
    IGSS Gate-Source Lækstrøm VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Qg Samlet portafgift VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A --- 16 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 3 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 4.5 ---
    Td(on) Forsinkelsestid for tænding VDS=10V, VGS=4,5V,RG=3,3Ω ID=1A --- 10 --- ns
    Tr Opgangstid --- 13 ---
    Td(fra) Sluk-forsinkelsestid --- 28 ---
    Tf Efterårstid --- 7 ---
    Ciss Input Kapacitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 1400 --- pF
    Coss Output Kapacitans --- 170 ---
    Crss Omvendt overførselskapacitans --- 135 ---

  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os