MOSFET-udvalg | N-kanal MOSFET konstruktionsprincipper

En MOSFET bestående af et p-type substrat og to n-spredningsområder med høje koncentrationsværdier kaldes en n-kanalMOSFET, og den ledende kanal forårsaget af en n-type ledende kanal er forårsaget af de n-spredningsveje i de to n-spredningsveje med høje koncentrationsværdier, når røret leder. n-kanal fortykkede MOSFET'er har n-kanalen forårsaget af en ledende kanal, når en positiv retningsbestemt forspænding hæves så meget som muligt ved gate og kun når gate-kildedriften kræver en driftsspænding, der overstiger tærskelspændingen. n-kanal udtømning MOSFET'er er dem, der ikke er klar til gatespændingen (gatekildedrift kræver en driftsspænding på nul). En n-kanals lysudtømnings-MOSFET er en n-kanal-MOSFET, hvor den ledende kanal forårsages, når gatespændingen (driftsspændingen for gatekildens driftskrav er nul) ikke er forberedt.

      NMOSFET integrerede kredsløb er N-kanal MOSFET strømforsyning kredsløb, NMOSFET integrerede kredsløb, input modstanden er meget høj, langt de fleste behøver ikke at fordøje absorptionen af ​​strøm flow, og dermed CMOSFET og NMOSFET integrerede kredsløb forbundet uden at skulle tage ind i tage højde for belastningen af ​​strøm flow.NMOSFET integrerede kredsløb, det store flertal af udvælgelsen af ​​en enkelt gruppe positive switching strømforsyning kredsløb strømforsyning kredsløb Størstedelen af ​​NMOSFET integreret kredsløb bruger en enkelt positiv switching strømforsyning kredsløb strømforsyning kredsløb, og til 9V for mere. CMOSFET-integrerede kredsløb behøver kun at bruge det samme strømforsyningskredsløb, som NMOSFET-integrerede kredsløb, kan forbindes med NMOSFET-integrerede kredsløb med det samme. Men fra NMOSFET til CMOSFET tilsluttet umiddelbart, fordi NMOSFET output pull-up modstanden er mindre end CMOSFET integreret kredsløb nøgled pull-up modstand, så prøv at anvende en potentialforskel pull-up modstand R, værdien af ​​modstanden R er generelt 2 til 100KΩ.