Der er mange variationer af kredsløbssymboler, der almindeligvis bruges til MOSFET'er. Det mest almindelige design er en lige linje, der repræsenterer kanalen, to linjer vinkelret på kanalen, der repræsenterer kilden og afløbet, og en kortere linje parallelt med kanalen til venstre, der repræsenterer porten. Nogle gange erstattes den lige linje, der repræsenterer kanalen, også af en brudt linje for at skelne mellem forbedringstilstandemosfet eller depletion mode mosfet, som også er opdelt i N-kanal MOSFET og P-kanal MOSFET to typer kredsløbssymboler som vist på figuren (pilens retning er forskellig).
Power MOSFET'er fungerer på to hovedmåder:
(1) Når en positiv spænding tilføjes til D og S (dræn positiv, kildenegativ) og UGS=0, er PN-krydset i P-legemeområdet og N-drænområdet omvendt forspændt, og der går ingen strøm mellem D og S. Hvis der tilføjes en positiv spænding UGS mellem G og S, vil der ikke flyde nogen gatestrøm, fordi gate er isoleret, men en positiv spænding ved gate vil skubbe hullerne væk fra P-området nedenunder, og minoritetsbæreelektronerne vil blive tiltrukket af P-regionens overflade Når UGS'en er større end en bestemt spænding UT, vil elektronkoncentrationen på overfladen af P-regionen under porten overstige hulkoncentrationen, hvilket gør P-type-halvleder-antimønsterlaget til N-type-halvleder ; dette antimønsterlag danner en N-type kanal mellem source og afløb, så PN-forbindelsen forsvinder, source og afløb er ledende, og en afløbsstrøm ID løber gennem afløbet. UT kaldes tændspændingen eller tærskelspændingen, og jo mere UGS overskrider UT, jo mere ledende er den ledende kapacitet, og jo større ID er. Jo større UGS overskrider UT, jo stærkere ledningsevne, jo større ID.
(2) Når D, S plus negativ spænding (kilde positiv, dræn negativ), er PN-krydset fremadrettet, svarende til en intern omvendt diode (har ikke en hurtig reaktionskarakteristik), dvs.MOSFET ikke har omvendt blokeringsevne, kan betragtes som en omvendt ledningskomponent.
VedMOSFET princippet om drift kan ses, dens ledning kun én polaritet bærere involveret i den ledende, så også kendt som unipolar transistor.MOSFET drev er ofte baseret på strømforsyningen IC og MOSFET parametre til at vælge det passende kredsløb, er MOSFET generelt bruges til at skifte strømforsyning drevkredsløb. Når man designer en omskifterstrømforsyning ved hjælp af en MOSFET, overvejer de fleste MOSFET-modstanden, maksimal spænding og maksimal strøm. Men folk overvejer meget ofte kun disse faktorer, så kredsløbet kan fungere korrekt, men det er ikke en god designløsning. For et mere detaljeret design bør MOSFET også overveje sin egen parameterinformation. For en bestemt MOSFET vil dets drivkredsløb, spidsstrømmen af drevets output osv. påvirke omskiftningsydelsen af MOSFET.
Indlægstid: 17. maj 2024
