I strømafbryderen og andre strømforsyningssystemdesignprogrammer vil programdesignere være mere opmærksomme på en række vigtige parametre iMOSFET, såsom on-off modstand, større driftsspænding, større strømflow. Selvom dette element erkritisk, under hensyntagen til det ukorrekte sted vil gøre, at strømforsyningskredsløbet ikke kan fungere korrekt, men faktisk er dette kun afsluttet det første trin,MOSFET'erne egne parasitære parametre anses for at være det vigtige for at bringe strømforsyningskredsløbet i fare.
Øjeblikkelig kørsel af MOSFET'er med strømforsyning IC'er
Et godt MOSFET-driverkredsløb har følgende bestemmelser:
(1) I det øjeblik kontakten aktiveres, bør driverkredsløbet være i stand til at udsende en meget stor strøm, så MOSFET gate-source interpol-driftsspændingen stiger hurtigt til den nødvendige værdi for at sikre, at kontakten kan drejes tændes hurtigt, og der vil ikke være nogen højfrekvente svingninger på den stigende kant.
(2) strømafbryder til og fra-periode, drevkredsløbet kan sikre, at MOSFET-gatekildens interpol-driftsspænding opretholdes i lang tid og effektiv ledning.
(3) Luk et øjeblik af drivkredsløbet, kan levere en lavimpedanskanal til MOSFET-gatekildens driftsspænding mellem det hurtige dræn for at sikre, at kontakten hurtigt kan slukkes.
(4) Enkel og pålidelig konstruktion af drivkredsløb med lavt slid.
(5) I henhold til den specifikke situation at udføre beskyttelse.
I styremodulets strømforsyning er den mest almindelige strømforsyning IC direkte driver MOSFET. anvendelse, bør være opmærksomme på den større drev den højeste værdi af strøm flow, MOSFET distribution kapacitans 2 hovedparametre. Power IC-drevkapacitet, MOS-fordelingskapacitansstørrelse, drevmodstandsmodstandsværdi vil bringe MOSFET-strømskiftehastigheden i fare. Hvis valget af MOSFET-distributionskapacitans er relativt stort, er strømforsyningens IC's interne drevkapacitet ikke nok, skal være i drevkredsløbet for at forbedre drevkapaciteten, anvender ofte totempol-strømforsyningskredsløbet for at forbedre strømforsyningens IC-drevkapacitet .
Indlægstid: 25-jul-2024
