I dag, med den hurtige udvikling af videnskab og teknologi, bruges halvledere i flere og flere industrier, hvorMOSFET betragtes også som en meget almindelig halvlederenhed, det næste trin er at forstå, hvad der er forskellen mellem egenskaberne af den bipolære effektkrystaltransistor og udgangseffekten MOSFET.
1, arbejdsformen
MOSFET er det arbejde, der kræves for at fremme driftsspændingen, kredsløbsdiagrammer forklare relativt enkel, fremme kraften i små; magt krystal transistor er et strømflow for at fremme programmet design er mere kompleks, for at fremme specifikationen af valget af vanskeligt at fremme specifikationen vil bringe strømforsyningen samlede skifte hastighed.
2, den samlede omskiftningshastighed af strømforsyningen
MOSFET påvirket af temperaturen er lille, strømforsyningen skifte udgangseffekt kan sikre, at mere end 150KHz; kraftkrystal transistor har en meget få gratis opladning lagringstid begrænse sin strømforsyning skifte hastighed, men dens udgangseffekt er generelt ikke mere end 50KHz.
3、Sikkert arbejdsområde
Strøm MOSFET har ingen sekundær basis, og det sikre arbejdsområde er bredt; kraftkrystaltransistor har en sekundær basissituation, som begrænser det sikre arbejdsområde.
4, Elektrisk leder arbejdskrav arbejdsspænding
MagtMOSFET hører til højspændingstypen, ledningsarbejdskravet arbejdsspænding er højere, der er en positiv temperaturkoefficient; strømkrystaltransistor uanset hvor mange penge der er modstandsdygtige over for arbejdskravets arbejdsspænding, er arbejdsspændingen for den elektriske leders arbejdskrav lavere og har en negativ temperaturkoefficient.
5, den maksimale effektstrøm
Power MOSFET i switching strømforsyning kredsløb strømforsyning kredsløb strømforsyning kredsløb som en strømforsyning switch, i drift og stabilt arbejde i midten, den maksimale strøm flow er lavere; og kraftkrystaltransistor i drift og stabilt arbejde i midten, den maksimale effektstrøm er højere.
6, Produktomkostninger
Omkostningerne ved strøm-MOSFET er lidt højere; prisen på kraftkrystaltriode er lidt lavere.
7, Penetrationseffekt
Power MOSFET har ingen penetrationseffekt; kraftkrystaltransistor har penetrationseffekt.
8、 Skiftende tab
MOSFET switch tab er ikke stort; strømkrystaltransistorskiftetab er relativt stort.
Hertil kommer, at langt størstedelen af strøm MOSFET integreret stødabsorberende diode, mens den bipolære magt krystal transistor næsten ingen integreret stødabsorberende diode.MOSFET stødabsorberende diode kan også være en universel magnet til at skifte strømforsyning kredsløb magnet spoler for at give effektfaktoren vinkel af strømstrømssikkerhedskanalen. Felt effekt rør i stødabsorberende diode i hele processen med at slukke med den generelle diode som eksistensen af omvendt genopretning strøm flow, på dette tidspunkt dioden på den ene side til at tage op drænet - kilden pol positive midten af en væsentlig stigning i arbejdskravene til driftsspændingen på den anden side og den omvendte genvindingsstrøm.
Indlægstid: 24. maj 2024
