MOSFET'er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) anses ofte for at være fuldt kontrollerede enheder. Dette skyldes, at MOSFET'ens driftstilstand (til eller fra) er fuldstændig styret af gatespændingen (Vgs) og ikke afhænger af basisstrømmen som i tilfældet med en bipolær transistor (BJT).
I en MOSFET bestemmer gatespændingen Vgs, om der dannes en ledende kanal mellem source og drain, samt bredden og ledningsevnen af den ledende kanal. Når Vgs overskrider tærskelspændingen Vt, dannes den ledende kanal, og MOSFET'en går ind i on-tilstand; når Vgs falder til under Vt, forsvinder den ledende kanal, og MOSFET'en er i afskæringstilstand. Denne kontrol er fuldt styret, fordi gatespændingen uafhængigt og præcist kan styre MOSFET'ens driftstilstand uden at være afhængig af andre strøm- eller spændingsparametre.
I modsætning hertil er driftstilstanden for halvstyrede enheder (f.eks. tyristorer) ikke kun påvirket af styrespændingen eller strømmen, men også af andre faktorer (f.eks. anodespænding, strøm osv.). Som et resultat giver fuldt kontrollerede enheder (f.eks. MOSFET'er) normalt bedre ydeevne med hensyn til kontrolnøjagtighed og fleksibilitet.
Sammenfattende er MOSFET'er fuldt kontrollerede enheder, hvis driftstilstand er fuldstændig styret af gatespændingen og har fordelene ved høj præcision, høj fleksibilitet og lavt strømforbrug.
Indlægstid: 20. september 2024
