Produktionsmetode for MOSFET-drivkredsløb med høj effekt

Der er to hovedløsninger:

Den ene er at bruge en dedikeret driver-chip til at drive MOSFET'en, eller brugen af ​​hurtige fotokoblere, transistorer udgør et kredsløb til at drive MOSFET'en, men den første type tilgang kræver tilvejebringelse af en uafhængig strømforsyning; den anden type pulstransformator til at drive MOSFET'en og i pulsdrevkredsløbet, hvordan man forbedrer koblingsfrekvensen af ​​drevkredsløbet for at øge drivkapaciteten så vidt muligt for at reducere antallet af komponenter, er det presserende behov at løseaktuelle problemer.

 

Den første type drivsystem, halvbro, kræver to uafhængige strømforsyninger; fuldbro kræver tre uafhængige strømforsyninger, både halvbro og fuldbro, for mange komponenter, der ikke bidrager til omkostningsreduktion.

 

Den anden type køreprogram, og patentet er den nærmeste kendte teknik for opfindelsens navn "en høj effektMOSFET drive circuit" patent (ansøgningsnummer 200720309534. 8), tilføjer patentet kun en udladningsmodstand for at frigive gatekilden til højeffekt MOSFET-ladning, for at opnå formålet med at lukke ned, er den faldende kant af PWM-signalet stor. faldende kant af PWM-signalet er stort, hvilket vil føre til langsom nedlukning af MOSFET, strømtab er meget stort;

 

Derudover er patentprogrammet MOSFET-arbejde modtageligt for interferens, og PWM-kontrolchippen skal have en stor udgangseffekt, hvilket gør at chiptemperaturen er høj, hvilket påvirker chippens levetid. Opfindelsens indhold Formålet med denne brugsmodel er at give et højeffekt MOSFET-drevkredsløb, arbejde mere stabilt og nul for at opnå formålet med denne brugsmodelopfindelse tekniske løsning - et højeffekt MOSFET-drevkredsløb, signaloutputtet fra PWM-kontrolchippen er forbundet til den primære pulstransformator, den første udgang oHvis den sekundære impulstransformator er forbundet med den første MOSFET-gate, er den anden udgang på den sekundære impulstransformator forbundet med den første MOSFET-gate, den anden udgang på den sekundære impulstransformator er forbundet med den første MOSFET-gate. Den første udgang på den sekundære pulstransformator er forbundet med gate på den første MOSFET, den anden udgang på den sekundære pulstransformator er forbundet med gate på den anden MOSFET, kendetegnet ved, at den første udgang på den sekundære pulstransformator også er forbundet til den første udladningstransistor, og den anden udgang af impulstransformatorens sekundære er også forbundet med den anden udladningstransistor. Den primære side af pulstransformatoren er også forbundet med et energilagrings- og frigivelseskredsløb.

 

Energilagringsfrigivelseskredsløbet omfatter en modstand, en kondensator og en diode, modstanden og kondensatoren er forbundet parallelt, og det førnævnte parallelkredsløb er forbundet i serie med dioden. Brugsmodellen har en gavnlig effekt Brugsmodellen har også en første udladningstransistor forbundet til transformatorens sekundære første udgang, og en anden udladningstransistor forbundet til impulstransformatorens anden udgang, således at når impulstransformatoren udsender en lav niveau, kan den første MOSFET og den anden MOSFET hurtigt aflades for at forbedre nedlukningshastigheden af ​​MOSFET'en og for at reducere MOSFET-tabet. Signalet fra PWM-kontrolchippen er forbundet til signalforstærknings-MOSFET'en mellem den primære udgang og pulsen transformer primær, som kan bruges til signalforstærkning. Signaludgangen fra PWM-kontrolchippen og den primære pulstransformator er forbundet til en MOSFET til signalforstærkning, hvilket yderligere kan forbedre PWM-signalets drivevne.

 

Den primære pulstransformator er også forbundet til et energilagringsfrigivelseskredsløb, når PWM-signalet er på et lavt niveau, frigiver energilagringsfrigivelseskredsløbet den lagrede energi i pulstransformatoren, når PWM er på et højt niveau, hvilket sikrer at porten kilden til den første MOSFET og den anden MOSFET er ekstremt lav, hvilket spiller en rolle i at forhindre interferens.

 

I en specifik implementering er en laveffekt MOSFET Q1 til signalforstærkning forbundet mellem signaludgangsterminalen A på PWM-kontrolchippen og den primære af pulstransformatoren Tl, den første udgangsterminal på den sekundære af pulstransformatoren er forbundet med porten på den første MOSFET Q4 via dioden D1 og drivmodstanden Rl, den anden udgangsterminal på sekundæren af ​​impulstransformatoren er forbundet med porten på den anden MOSFET Q5 via dioden D2 og drivmodstanden R2, og første udgangsterminal på sekundæren af ​​pulstransformatoren er også forbundet med den første dræntriode Q2, og den anden dræntriode Q3 er også forbundet med den anden dræntriode Q3. MOSFET Q5, den første udgangsterminal på den sekundære pulstransformator er også forbundet med en første dræntransistor Q2, og den anden udgangsterminal på den sekundære pulstransformator er også forbundet med en anden dræntransistor Q3.

 

Gaten på den første MOSFET Q4 er forbundet med en drænmodstand R3, og porten på den anden MOSFET Q5 er forbundet med en drænmodstand R4. impulstransformatorens Tl er også forbundet med et energilagrings- og frigivelseskredsløb, og energilagrings- og frigivelseskredsløbet omfatter en modstand R5, en kondensator Cl og en diode D3, og modstanden R5 og kondensatoren Cl er forbundet i parallel, og det førnævnte parallelkredsløb er forbundet i serie med dioden D3. PWM-signalet fra PWM-kontrolchippen er forbundet til laveffekt-MOSFET Q2, og laveffekt-MOSFET Q2 er forbundet til impulstransformatorens sekundære. forstærkes af laveffekt MOSFET Ql og udsendes til primæren af ​​pulstransformatoren Tl. Når PWM-signalet er højt, udsender den første udgangsterminal og den anden udgangsterminal på den sekundære af impulstransformatoren Tl højniveausignaler for at drive den første MOSFET Q4 og den anden MOSFET Q5 til at lede.

 

Når PWM-signalet er lavt, vil den første udgang og den anden udgang fra impulstransformatoren Tl sekundære udgangssignaler på lavt niveau, den første draintransistor Q2 og den anden draintransistor Q3 lede, den første MOSFETQ4-gatekildekapacitans gennem drainmodstanden R3, den første dræntransistor Q2 til afladning, den anden MOSFETQ5-gatekildekapacitans gennem drænmodstanden R4, den anden dræntransistor Q3 til afladning, den anden MOSFETQ5-gatekildekapacitet gennem drænmodstanden R4, den anden dræntransistor Q3 til afladning, den anden MOSFETQ5 gate source kapacitans gennem drænmodstanden R4, den anden dræntransistor Q3 til afladning. Den anden MOSFETQ5-gatekildekapacitans aflades gennem drænmodstanden R4 og den anden dræntransistor Q3, således at den første MOSFET Q4 og den anden MOSFET Q5 kan slukkes hurtigere, og effekttabet kan reduceres.

 

Når PWM-signalet er lavt, frigiver det lagrede energiudløsningskredsløb bestående af modstand R5, kondensator Cl og diode D3 den lagrede energi i pulstransformatoren, når PWM er høj, hvilket sikrer, at gatekilden for den første MOSFET Q4 og den anden MOSFET Q5 er ekstremt lav, hvilket tjener formålet med anti-interferens. Diode Dl og diode D2 leder udgangsstrømmen ensrettet, hvilket sikrer kvaliteten af ​​PWM-bølgeformen, og samtidig spiller den også rollen som anti-interferens til en vis grad.