MOSFET'erspille en rollei koblingskredsløber at styre kredsløbet til og fra og signalkonvertering.MOSFET'er kan groft inddeles i to kategorier: N-kanal og P-kanal.
I N-kanalenMOSFETkredsløb, BIP-pinden er høj for at aktivere buzzer-reaktionen og lav for at slukke for buzzer.P-kanalenMOSFETfor at styre GPS-modulets strømforsyning til og fra, er GPS_PWR-pinden lav, når den er tændt, GPS-modulet er normal strømforsyning, og høj for at få GPS-modulet til at slukke.
P-kanalMOSFETi N-type silicium substrat på P + regionen har to: dræn og kilde. Disse to poler er ikke ledende i forhold til hinanden, når der er tilstrækkelig positiv spænding tilføjet til kilden, når den er jordet, vil N-type siliciumoverfladen under gate komme frem som et P-type omvendt lag, ind i en kanal, der forbinder drænet og kilden . Ændring af spændingen ved porten ændrer tætheden af huller i kanalen og ændrer dermed kanalmodstanden. Dette kaldes en P-kanalforbedringsfelteffekttransistor.
NMOS-egenskaber, Vgs, så længe større end en vis værdi vil være tændt, gælder for den kildejordede low-end-drevkasse, forudsat at gatespændingen på 4V eller 10V på linjen.
Egenskaberne for PMOS, i modsætning til NMOS, vil tænde, så længe Vgs er mindre end en vis værdi, og det er velegnet til brug i tilfælde af high-end drev, når kilden er forbundet til VCC. Men på grund af det lille antal udskiftningstyper, høj modstandsdygtighed og høj pris, selvom PMOS meget bekvemt kan bruges i tilfælde af high-end-drev, så i high-end-drevet, skal du generelt stadig bruge NMOS.
Samlet setMOSFET'erhar høj indgangsimpedans, letter direkte kobling i kredsløb og er relativt nemme at fremstille til integrerede kredsløb i stor skala.
Indlægstid: 20-jul-2024
