MOSFET'erer meget brugt. Nu nogle store integrerede kredsløb er brugt MOSFET, den grundlæggende funktion og BJT transistor, er switching og forstærkning. Som udgangspunkt kan BJT triode bruges hvor den kan bruges, og nogle steder er ydelsen bedre end trioden.
Amplifikation af MOSFET
MOSFET og BJT triode, selv om begge halvlederforstærker enhed, men flere fordele end triode, såsom høj input modstand, signalkilden næsten ingen strøm, hvilket er befordrende for stabiliteten af input signal. Det er en ideel enhed som indgangstrinsforstærker og har også fordelene ved lav støj og god temperaturstabilitet. Den bruges ofte som forforstærker til lydforstærkningskredsløb. Men fordi det er en spændingsstyret strømanordning, styres drænstrømmen af spændingen mellem gatekilden, forstærkningskoefficienten for lavfrekvent transkonduktans er generelt ikke stor, så forstærkningsevnen er dårlig.
Skiftende effekt af MOSFET
MOSFET brugt som en elektronisk switch, på grund af kun at stole på polyon ledningsevne, er der ingen sådan som BJT triode på grund af basisstrømmen og ladningslagringseffekten, så omskiftningshastigheden af MOSFET er hurtigere end trioden, som et skifterør bruges ofte til højfrekvente højstrøms lejligheder, såsom omskiftning af strømforsyninger, der bruges i MOSFET'en i værkets højfrekvente højstrømstilstand. Sammenlignet med BJT triode switche kan MOSFET switche fungere ved mindre spændinger og strømme og er nemmere at integrere på silicium wafers, så de er meget udbredt i storskala integrerede kredsløb.
Hvad er forholdsreglerne ved brugMOSFET'er?
MOSFET'er er mere sarte end trioder og kan let blive beskadiget ved forkert brug, så der skal udvises særlig forsigtighed, når du bruger dem.
(1) Det er nødvendigt at vælge den passende type MOSFET til forskellige brugsbegivenheder.
(2) MOSFET'er, især MOSFET'er med isoleret gate, har en høj indgangsimpedans og bør kortsluttes til hver elektrode, når den ikke er i brug, for at undgå beskadigelse af røret på grund af gate-induktansladning.
(3) Gatekildespændingen for junction MOSFET'er kan ikke vendes, men kan gemmes i åben kredsløbstilstand.
(4) For at bevare MOSFET'ens høje inputimpedans bør røret beskyttes mod fugt og holdes tørt i brugsmiljøet.
(5) Opladede genstande (såsom loddekolbe, testinstrumenter osv.) i kontakt med MOSFET'en skal jordes for at undgå beskadigelse af røret. Især ved svejsning af isoleret gate MOSFET, ifølge kilden - gate sekventiel rækkefølge af svejsning, er det bedst at svejse efter strømmen er slukket. Effekten af loddekolben til 15 ~ 30W er passende, en svejsetid bør ikke overstige 10 sekunder.
(6) isoleret gate MOSFET kan ikke testes med et multimeter, kan kun testes med en tester, og kun efter adgang til testeren for at fjerne kortslutningsledningerne til elektroderne. Når de fjernes, er det nødvendigt at kortslutte elektroderne før fjernelse for at undgå portoverhæng.
(7) Ved brugMOSFET'ermed substratledninger skal substratledningerne være korrekt forbundet.
Indlægstid: 23-apr-2024
