Hvad er princippet om drift af MOSFET?

MOSFET (FieldEffect Transistor abbreviation (FET)) titelMOSFET. af et lille antal bærere til at deltage i den termiske ledningsevne, også kendt som multi-polet junction transistor. Den er kategoriseret som en spændingsstyret semi-superlederenhed. Eksisterende udgangsmodstand er høj (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), lavt støjniveau, lavt strømforbrug, statisk rækkevidde, let at integrere, intet andet nedbrudsfænomen, forsikringsopgaven for det brede hav og andre fordele, har nu ændret bipolar junction transistor og power junction transistor af de stærke samarbejdspartnere.

MOSFET egenskaber

For det første: MOSFET er en spændingsmastering enhed, den gennem VGS (gate source voltage) til master ID (drain DC);

Anden:MOSFET'eroutput DC er meget lille, så dens udgangsmodstand er meget stor.

Tre: det påføres et par bærere til at lede varme, og dermed har det et bedre mål for stabilitet;

Fire: den består af en reduceret vej af elektrisk reduktion af små koefficienter til at være mindre end transistoren består af en reduceret vej af elektrisk reduktion af små koefficienter;

For det femte: MOSFET anti-bestrålingseffekt;

Seks: fordi der ikke er nogen defekt aktivitet af minoritetsspredningen forårsaget af spredte støjpartikler, fordi støjen er lav.

MOSFET opgaveprincip

MOSFETopgaveprincip i én sætning, det vil sige "dræn - kildevandring gennem kanalen mellem ID'et, med elektroden og kanalen mellem pn'en konstrueret til en omvendt bias elektrodespænding for at mestre ID'et". Mere præcist, amplituden af ​​ID på tværs af kredsløbet, det vil sige kanalens tværsnitsareal, er det ved pn-junction mod-forspændt variation, forekomsten af ​​udtømningslaget for at udvide variationen af ​​beherskelsen af ​​årsagen. I det umættede hav af VGS=0 er udvidelsen af ​​det angivne overgangslag ikke særlig stor, fordi i henhold til magnetfeltet af VDS tilføjet mellem drænkilden trækkes nogle elektroner i kildehavet væk af drænet , dvs. der er en DC ID-aktivitet fra afløbet til kilden. Det moderate lag, der udvider sig fra porten til afløbet, vil danne en blokeringstype af en hel del af kanalen, ID fuld. Henvis til dette mønster som pinch-off. Dette symboliserer, at overgangslaget blokerer hele kanalen, og det er ikke, at DC er afskåret.

I overgangslaget, fordi der ikke er nogen selvbevægelse af elektroner og huller, i den virkelige form af de isolerende egenskaber af eksistensen af ​​den generelle DC-strøm er det vanskeligt at flytte. Men magnetfeltet mellem drænet - kilden, i praksis, de to overgangslag kontakt drænet og gate pol nederst til venstre, fordi drift magnetfelt trækker højhastighedselektronerne gennem overgangslaget. Fordi styrken af ​​det driftmagnetiske felt simpelthen ikke ændrer ID-scenens fylde. For det andet skifter VGS til den negative position, så VGS = VGS (fra), så ændrer overgangslaget stort set formen til at dække hele havet. Og magnetfeltet i VDS føjes i vid udstrækning til overgangslaget, det magnetiske felt, der trækker elektronen til driftpositionen, så længe som tæt på kildepolen på det meget korte alle, hvilket er mere, så DC-effekten ikke er i stand til at stagnere.