Om high-power MOSFET har været en af de ingeniører, der er ivrige efter at diskutere emnet, så vi har organiseret den almindelige og ualmindelige viden omMOSFET, jeg håber at hjælpe ingeniører. Lad os tale om MOSFET, en meget vigtig komponent!
Antistatisk beskyttelse
High-power MOSFET er et isoleret gate felteffektrør, porten er ikke noget jævnstrømskredsløb, indgangsimpedansen er ekstremt høj, det er meget let at forårsage statisk ladning aggregering, hvilket resulterer i en højspænding vil være porten og kilden til det isolerende lag mellem nedbrydningen.
Det meste af den tidlige produktion af MOSFET'er har ikke antistatiske foranstaltninger, så vær meget forsigtig med hensyn til opbevaring og anvendelse, især de mindre strøm-MOSFET'er, på grund af den mindre effekt-MOSFET-indgangskapacitet er relativt lille, når de udsættes for statisk elektricitet genererer en højere spænding, let forårsaget af elektrostatisk nedbrud.
Den nylige forbedring af high-power MOSFET er en relativt stor forskel, først og fremmest på grund af funktionen af en større input kapacitans er også større, så kontakt med statisk elektricitet har en opladningsproces, hvilket resulterer i en mindre spænding, hvilket forårsager sammenbrud af muligheden for mindre, og så igen, nu højeffekt MOSFET i den interne gate og kilden til gate og kilden til en beskyttet regulator DZ, den statiske indlejret i beskyttelsen af regulatoren diode spændingsregulator værdien nedenfor, effektivt Beskyt porten og kilden til det isolerende lag, forskellig effekt, forskellige modeller af MOSFET-beskyttelsesregulatorens diodespændingsregulatorværdi er forskellig.
Selvom højeffekt MOSFET interne beskyttelsesforanstaltninger, bør vi arbejde i overensstemmelse med de antistatiske driftsprocedurer, som et kvalificeret vedligeholdelsespersonale bør have.
Detektion og udskiftning
Ved reparation af fjernsyn og elektrisk udstyr, vil støde på en række komponentskader,MOSFETer også blandt dem, hvilket er, hvordan vores vedligeholdelsespersonale bruger det almindeligt anvendte multimeter til at bestemme den gode og dårlige, gode og dårlige MOSFET. Ved udskiftning af MOSFET, hvis der ikke er samme producent og samme model, hvordan udskiftes problemet.
1, højeffekt MOSFET-test:
Som et generelt elektrisk tv-reparationspersonale i måling af krystaltransistorer eller dioder, generelt ved hjælp af et almindeligt multimeter til at bestemme de gode og dårlige transistorer eller dioder, selv om bedømmelsen af transistorens eller diodens elektriske parametre ikke kan bekræftes, men så længe metoden er korrekt til bekræftelse af krystaltransistorer "gode" og "dårlige" eller "dårlige" til bekræftelse af krystaltransistorer. "Dårligt" eller intet problem. På samme måde kan MOSFET også være
At anvende multimeter til at bestemme dens "gode" og "dårlige", fra den generelle vedligeholdelse, kan også opfylde behovene.
Detektion skal bruge et pointer-multimeter (digitalmåler er ikke egnet til måling af halvlederenheder). For strøm-type MOSFET-omskifterrør er N-kanalforbedring, produkterne fra producenterne bruger næsten alle den samme TO-220F-pakkeform (henviser til switching-strømforsyningen for effekten på 50-200W af felteffekt-koblingsrøret) , er arrangementet med tre elektroder også konsistent, det vil sige de tre
Pins down, print model mod selvet, den venstre pind til porten, den højre testpin til kilden, den midterste pin til afløbet.
(1) multimeter og relaterede præparater:
Først og fremmest, før målingen skal være i stand til at bruge multimeteret, især anvendelsen af ohm gear, for at forstå ohm blokken vil være den korrekte anvendelse af ohm blok til at måle krystal transistoren ogMOSFET.
Med multimeter ohm blok ohm center skala kan ikke være for stor, helst mindre end 12 Ω (500-type tabel for 12 Ω), så der i R × 1 blok kan have en større strøm, for PN krydset af den forreste karakteristika ved dommen er mere nøjagtige. Multimeter R × 10K blok internt batteri er bedst større end 9V, så ved måling af PN-krydset er omvendt lækstrøm mere nøjagtig, ellers kan lækagen ikke måles.
Nu på grund af produktionsprocessens fremskridt, fabriksscreeningen, testning er meget streng, vi vurderer generelt, så længe MOSFET'ens bedømmelse ikke lækker, ikke bryder gennem kortslutningen, den interne ikke-kredsløb, kan være forstærket undervejs er metoden ekstremt enkel:
Brug af et multimeter R × 10K blok; R × 10K blok internt batteri er generelt 9V plus 1,5V til 10,5V denne spænding anses generelt for at være nok PN-junction inversion lækage, den røde pen på multimeteret er negativt potentiale (forbundet til den negative terminal på det interne batteri), sort pen på multimeteret er positivt potentiale (forbundet til den positive terminal på det interne batteri).
(2) Testprocedure:
Tilslut den røde pen til kilden til MOSFET S; tilslut den sorte pen til afløbet på MOSFET D. På dette tidspunkt skal nåleangivelsen være uendelig. Hvis der er et ohmsk indeks, der indikerer, at røret under test har et lækagefænomen, kan dette rør ikke bruges.
Oprethold ovenstående tilstand; på dette tidspunkt med en 100K ~ 200K modstand forbundet til porten og afløbet; på dette tidspunkt bør nålen indikere antallet af ohm jo mindre jo bedre, kan generelt angives til 0 ohm, denne gang er det en positiv ladning gennem 100K modstanden på MOSFET gate opladning, hvilket resulterer i et gate elektrisk felt, pga. det elektriske felt, der genereres af den ledende kanal, hvilket resulterer i dræn- og kildeledning, så multimeternålens afbøjning, afbøjningsvinklen er stor (Ohms indeks er lille) for at bevise, at udladningsydelsen er god.
Og derefter forbundet til modstanden fjernet, så multimeter pointer skal stadig være MOSFET på indekset forbliver uændret. Selvom modstanden til at tage væk, men fordi modstanden til gate ladet af ladningen ikke forsvinder, gate elektriske felt fortsætter med at opretholde den interne ledende kanal er stadig opretholdt, hvilket er karakteristika af den isolerede gate type MOSFET.
Hvis modstanden til at tage væk nålen vil langsomt og gradvist vende tilbage til høj modstand eller endda vende tilbage til uendeligt, at overveje, at den målte rør gate lækage.
På dette tidspunkt med en ledning, forbundet til porten og kilden til det prøvede rør, vendte multimeterets viser straks tilbage til det uendelige. Forbindelsen af ledningen, så den målte MOSFET, gate charge frigivelse, det indre elektriske felt forsvinder; ledende kanal forsvinder også, så drænet og kilden mellem modstanden og bliver uendelig.
2, høj-effekt MOSFET udskiftning
Ved reparation af fjernsyn og alle former for elektrisk udstyr skal opståede komponentskader udskiftes med samme type komponenter. Men nogle gange er de samme komponenter ikke ved hånden, det er nødvendigt at bruge andre typer udskiftning, så vi skal tage højde for alle aspekter af ydeevne, parametre, dimensioner osv., såsom fjernsyn inde i linjeudgangsrøret, som så længe hensynet til spænding, strøm, strøm generelt kan udskiftes (linjeudgangsrør næsten samme dimensioner af udseendet), og effekten har en tendens til at være større og bedre.
For MOSFET udskiftning, selv om også dette princip, er det bedst at prototype den bedste, især ikke forfølge magten til at være større, fordi magten er stor; indgangskapaciteten er stor, ændret, og excitationskredsløbene matcher ikke exciteringen af ladningsstrømbegrænsende modstand i vandingskredsløbet af størrelsen af modstandsværdien, og indgangskapaciteten af MOSFET er relateret til valget af effekten af stor på trods af stor kapacitet, men indgangskapaciteten er også stor, og indgangskapaciteten er også stor, og strømmen er ikke stor.
Indgangskapacitansen er også stor, excitationskredsløbet er ikke godt, hvilket igen vil gøre MOSFET'ens on- og off-ydelse dårligere. Viser udskiftningen af forskellige modeller af MOSFET'er, under hensyntagen til indgangskapaciteten for denne parameter.
For eksempel er der en 42-tommer LCD TV-baggrundsbelysning højspændingsplade beskadigelse, efter at have kontrolleret den interne højeffekt MOSFET skade, fordi der ikke er nogen prototype antal udskiftning, valget af en spænding, strøm, strøm er ikke mindre end den originale MOSFET-erstatning, resultatet er, at baggrundsbelysningsrøret ser ud til at være et kontinuerligt flimmer (startvanskeligheder), og til sidst erstattet med den samme type original for at løse problemet.
Detekteret skade på højeffekt-MOSFET'en, udskiftning af dens perifere komponenter af perfusionskredsløbet skal også udskiftes, fordi skaden på MOSFET'en også kan være dårlige perfusionskredsløbskomponenter forårsaget af skaden på MOSFET'en. Selvom MOSFET'en selv er beskadiget, bliver perfusionskredsløbskomponenterne også beskadiget i det øjeblik, hvor MOSFET'en går i stykker og bør udskiftes.
Ligesom vi har en masse smarte reparationsmestere i reparationen af A3-strømforsyningen; så længe omskifterrøret konstateres at gå i stykker, er det også fronten på 2SC3807 excitationsrøret sammen med udskiftningen af samme årsag (selvom 2SC3807-røret, målt med et multimeter er godt).
Indlægstid: 15-apr-2024
