Hvad er de fire regioner i en MOSFET?

De fire regioner i en N-kanal forbedring MOSFET

(1) Variabel modstandsområde (også kaldet umættet område)

Ucs" Ucs (th) (tændingsspænding), uDs" UGs-Ucs (th), er området til venstre for det forspændte spor i figuren, hvor kanalen er tændt. Værdien af ​​UD'er er lille i dette område, og kanalmodstanden styres stort set kun af UG'er. Når uGs er sikker, ip og uDs i et lineært forhold, tilnærmes området som et sæt lige linjer. På dette tidspunkt er felteffektrøret D, S mellem svarende til en spænding UGS

Styres af spændingen UGS variabel modstand.

(2) konstant strømområde (også kendt som mætningsområde, amplifikationsområde, aktivt område)

Ucs ≥ Ucs (h) og Ubs ≥ UcsUssth), for figuren på højre side af pre-pinch off-sporet, men endnu ikke opdelt i regionen, i regionen, hvor uG'erne skal være, ib næsten ikke ændres med UD'erne, er en konstant-strøm karakteristika. i styres kun af UG'erne, så svarer MOSFETD, S til en spændings-uGs kontrol af strømkilden. MOSFET bruges i forstærkningskredsløb, generelt på arbejdet med MOSFET D, S svarer til en spænding uGs styrestrømkilde. MOSFET, der bruges i forstærkningskredsløb, fungerer generelt i regionen, så også kendt som forstærkningsområdet.

(3) Clip-off område (også kaldet cut-off område)

Clip-off område (også kendt som cut-off område) for at opfylde ucs "Ues (th) for figuren nær regionens vandrette akse, kanalen er helt afspændt, kendt som den fulde clip off, io = 0 , røret virker ikke.

(4) nedbrydningszone placering

Opdelingsområdet er placeret i området til højre i figuren. Med de stigende UD'er bliver PN-krydset udsat for for meget omvendt spænding og nedbrud, ip stiger kraftigt. Røret skal betjenes for at undgå drift i nedbrydningsområdet. Overførselskarakteristikkurven kan udledes af outputkarakteristikkurven. På den metode, der bruges som en graf for at finde. For eksempel, i figur 3 (a) for Ubs = 6V lodret linje, dens skæring med de forskellige kurver svarende til i, Us-værdierne i ib- Uss-koordinaterne forbundet med kurven, det vil sige for at opnå den karakteristiske overføringskurve.

Parametre afMOSFET

Der er mange parametre for MOSFET, herunder DC-parametre, AC-parametre og grænseparametre, men kun følgende hovedparametre skal tages i betragtning ved almindelig brug: mættet dræn-kildestrøm IDSS-pinch-off-spænding Op, (rør af forbindelsestype og udtømning) -type isolerede gate rør eller tændspænding UT (forstærkede isolerede gate rør), trans-konduktans gm, lækage-kilde gennembrudsspænding BUDS, maksimalt dissiperet effekt PDSM og maksimal drænkildestrøm IDSM.

(1) Mættet drænstrøm

Den mættede drænstrøm IDSS er drænstrømmen i en isoleret gate MOSFET af overgangs- eller udtømningstype, når gatespændingen UGS = 0.

(2) Clip-off spænding

Pinch-off spændingen UP er gatespændingen i en MOSFET med isoleret gate af junction-type eller depletion-type, der netop afbryder mellem drænet og kilden. Som vist i 4-25 for N-kanalrøret UGS kan en ID-kurve forstås for at se betydningen af ​​IDSS og UP

MOSFET fire regioner

(3) Tænd spænding

Tændspændingen UT er gatespændingen i en forstærket isoleret gate MOSFET, der gør inter-drain-kilden netop ledende.

(4) Transkonduktans

Transkonduktansen gm er styreevnen af ​​gate-kildespændingen UGS på drænstrøm-ID'en, dvs. forholdet mellem ændringen i drænstrøm-ID og ændringen i gate-kildespændingen UGS. 9m er en vigtig parameter, der vejer forstærkningsevnen afMOSFET.

(5) Drænkildens sammenbrudsspænding

Drain source breakdown spænding BUDS refererer til gate source spændingen UGS sikker, MOSFET normal drift kan acceptere den maksimale drain source spænding. Dette er en grænseparameter, tilføjet til MOSFET-driftsspændingen skal være mindre end BUDS.

(6) Maksimal effekttab

Maksimal effekttab PDSM er også en grænseparameter, refererer tilMOSFETydeevnen forringes ikke, når den maksimalt tilladte lækagekildes effekttab. Ved brug af MOSFET bør det praktiske strømforbrug være mindre end PDSM og efterlade en vis margin.

(7) Maksimal drænstrøm

Maksimal lækstrøm IDSM er en anden grænseparameter, der refererer til den normale drift af MOSFET, lækkilden for den maksimale strøm, der må passere gennem MOSFET'ens driftsstrøm, bør ikke overstige IDSM.

MOSFET-driftsprincip

Driftsprincippet for MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) er at bruge VGS til at kontrollere mængden af ​​"induktiv ladning", for at ændre tilstanden af ​​den ledende kanal dannet af disse "induktive ladninger", og derefter for at opnå formålet at styre afløbsstrømmen. Formålet er at styre afløbsstrømmen. Ved fremstilling af rør, gennem processen med at lave et stort antal positive ioner i det isolerende lag, så i den anden side af grænsefladen kan induceres flere negative ladninger, disse negative ladninger kan induceres.

Når gate-spændingen ændres, ændres mængden af ​​ladning, der induceres i kanalen, også, bredden af ​​den ledende kanal ændres også, og dermed ændres drænstrøm-ID med gate-spændingen.

MOSFET rolle

I. MOSFET kan anvendes til amplifikation. På grund af MOSFET-forstærkerens høje indgangsimpedans kan koblingskondensatoren have mindre kapacitet uden brug af elektrolytiske kondensatorer.

For det andet er MOSFET's høje inputimpedans meget velegnet til impedanskonvertering. Almindeligvis brugt i flertrinsforstærkerindgangstrin til impedanskonvertering.

MOSFET kan bruges som en variabel modstand.

For det fjerde kan MOSFET let bruges som en konstant strømkilde.

For det femte kan MOSFET bruges som en elektronisk switch.