Hvad kan jeg gøre for at reparere min MOSFET, der varmer dårligt?

Strømforsyning kredsløb, eller strømforsyning kredsløb inden for fremdrift, uundgåeligt brugMOSFET'er, som er af mange typer og har mange funktioner. Til kobling af strømforsyning eller fremdriftsapplikationer er det naturligt at bruge dens koblingsfunktion.

Uanset N-type eller P-typeMOSFET, princippet er i det væsentlige det samme, MOSFET føjes til gate af bindingsenden af strømmen for at regulere udgangssiden af drænstrømmen, MOSFET er en spændingsstyret enhed, den er baseret på strømmen tilføjet til gate på manipulation af enhedens karakteristika, er ikke tilbøjelig til at skifte som en transistor på grund af basisstrøm forårsaget af den positive ladningslagringseffekt, og derfor, i omkoblingsapplikationen, MOSFET-omskiftningshastigheden skal være hurtigere end transistoren. Skiftehastigheden skal være hurtigere end trioden.

MOSFETsmåstrøms opvarmning årsager

1, er problemets kredsløbsprincip at lade MOSFET'en arbejde i den lineære driftstilstand snarere end i koblingssituationen. Dette er også en årsag til MOSFET-varme. Hvis N-MOS switching, G-niveau driftsspænding end skiftende strømforsyning et par V, for at være helt tændt og slukket, P-MOS er omvendt. Ikke helt tændt, og tabet er for stort, hvilket resulterer i udgangseffekttab, den tilsvarende kredsløbs DC karakteristiske impedans er større, tabet er udvidet, så U * I er også udvidet, udtømning repræsenterer varme. Dette er også det mest undgåede ukorrekte designprogramkontrolkredsløb.

2, frekvensen er for høj, hovedsageligt nogle gange for meget udøvelse af perfekt volumen, hvilket resulterer i frekvensforøgelse, MOSFET på udvidelsen af forbruget, så varmen også steg.

3, gjorde ikke tilstrækkelig varme udelukkelse design program, den nuværende er for høj, MOSFET tolerance nuværende værdi, generelt skal opretholde god varme udelukkelse kan gøres. Derfor er ID lavere end den højere strøm, det er også sandsynligt, at varme mere alvorlig, skal være tilstrækkelig til at hjælpe kølepladen.

4, MOSFET-modelvalget er ikke korrekt, udgangseffekten er ikke korrekt, MOSFET-modstanden tages ikke i betragtning, hvilket resulterer i en udvidelse af den koblingskarakteristiske impedans.

MOSFET lille nuværende opvarmning er mere seriøs, hvordan man løser?